[其他]一種改進的銻化銦多元列陣器件工藝

無效

• 申請號: 85108767
• 申請日: 1985-11-13
• 公開（公告）號: CN85108767A
• 公開（公告）日: 1987-05-20
• 發明（設計）人: 俞振中;陳新強;沈壽珍;胡文軍
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海技術物理研究所
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/72
• 代理公司: 中國科學院上海專利事務所
• 代理人: 徐偉奇,郭英

1、一種改進的銻化銦多元列陣器件工藝，包括p-n結臺面形成，二氧化硅[6]介質隔離，鉻金延伸電極，其特征是在二氧化硅窗口開出后，先保護電極窗口[4]，然后在KOH溶液中陽極氧化，氧化后即嚴格清洗芯片。

2、按權利要求1規定的工藝，其特征是保護電極窗口〔4〕用的是光刻膠。

3、按權利要求1規定的工藝，其特征是所說的KOH的濃度為0.1N。

4、按權利要求1規定的工藝，其特征是樣品在KOH溶液中陽極氧化時，厚度控制在1000左右。

5、按權利要求1規定的工藝，其特征是在陽極氧化過程中，采用恒壓法。