[其他]薄膜晶體管的制作方法

無效

• 申請號: 85109088
• 申請日: 1985-11-15
• 公開（公告）號: CN85109088A
• 公開（公告）日: 1986-08-27
• 發明（設計）人: 林久雄;野口隆
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L21/18
• 分類號: H01L21/18;H01L29/78
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 肖春京

1、一種制作薄膜晶體管的方法，其特征在于：在一預定的基板上，形成一層多晶半導體薄膜；將預定的離子注入所說的多晶半導體薄膜中，以形成一層非晶半導體薄膜；在所說的非晶半導體薄膜上，形成一層柵絕緣膜和一柵電極；利用所說的柵電極和柵絕緣膜作掩膜，進行摻雜，以便在所說的非晶半導體薄膜中形成源區和漏區；進行退火以實現所說非晶半導體薄膜的固向生長，同時使雜質電激活，以形成所說的源區和漏區。

2、根據權利要求1的方法，其特征在于：所說的多晶半導體薄膜包括多晶硅膜。

3、根據權利要求2的方法，其特征在于：離子包括劑量為1×10¹⁵/〔厘米〕²至5×10¹⁵/〔厘米〕²的Si⁺離子。

4、根據權利要求2或3的方法，其特征在于：所說的多晶硅膜是用低壓化學汽相沉積方法在基板溫度為580℃至600℃時形成的。

5、根據權利要求1，2，3或4的方法，其特征在于：所說的預定基板包括玻璃基板。