[其他]制造半導(dǎo)體集成電路器件的方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 85109742
• 申請(qǐng)日: 1985-11-22
• 公開（公告）號(hào): CN85109742B
• 公開（公告）日: 1988-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 池田修二;長(zhǎng)澤幸一;元吉真;永井清;目黑憐
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社日立制作所
• 主分類號(hào): H01L21/72
• 分類號(hào): H01L21/72;H01L27/04
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利代理部
• 代理人: 郁玉成

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路器件，更具體地說，涉及一種制造半導(dǎo)體集成電路器件的方法，該器件具有能防止半導(dǎo)體區(qū)損壞的結(jié)。

隨著近年來半導(dǎo)體器件，例如集成電路或大規(guī)模集成電路的集成度的增加，這些器件的部件愈做愈小。在金屬-氧化物半導(dǎo)體晶體管（MOS）型的半導(dǎo)體器件中，MOSFET（即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的尺寸已經(jīng)縮小了，即它的溝道縮短了。按照這種縮短了的溝道，它的半導(dǎo)體區(qū)的結(jié)淺到大約0.2到0.4微米。

該半導(dǎo)體區(qū)與用來作導(dǎo)線層的鋁連接。為了在鋁與半導(dǎo)體區(qū)（硅）之間建立起歐姆接觸而進(jìn)行的新熱處理會(huì)產(chǎn)生所謂的“合金尖”（alloyspike），即鋁溶入基片。當(dāng)此合金尖到達(dá)PN結(jié)時(shí)，該結(jié)即被短路，或者漏電流增加。結(jié)果，使部件的可靠性下降。如在上面已經(jīng)描述過的那樣，MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)深在逐年減小，因此，在最近的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，對(duì)抑制或防止由于合金尖引起的結(jié)損壞作了各種各樣的試驗(yàn)。所提出的方法中，有一種方法是利用通過接觸孔把一種雜質(zhì)擴(kuò)散到相同導(dǎo)電率類型的半導(dǎo)體區(qū)，以使接觸孔部位處的結(jié)深得到局部地?cái)U(kuò)大。此方法既簡(jiǎn)單又有效，只需要一道工序就可完成。

這種方法已經(jīng)得到披露，例如，在日經(jīng)麥格勞·希爾有限公司（MikkeiMcgrawHillCo.Ltd）1983年8月23日出版的“日經(jīng)電子學(xué)特刊”（“SpecialEssueofNikkeiElectronics”）第122頁中加以公開。

根據(jù)我們的研究，如果上述方法按原樣應(yīng)用于具有P型半導(dǎo)體區(qū)和N型半導(dǎo)體區(qū)的這樣一種半導(dǎo)體器件（例如一種有P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的互補(bǔ)金屬-氧化物半導(dǎo)體（CMOS）器件），則制造CMOS器件的大量工序還要增加。

本發(fā)明的一個(gè)目的是提供制造一種半導(dǎo)體器件的方法，此方法可以容易地防止任何結(jié)的損壞，而在實(shí)質(zhì)上不增加任何工序。

本發(fā)明的另一個(gè)目的是改善多晶硅層、難熔金屬硅化物層或硅化物層與鋁層之間的連接。

本發(fā)明的更進(jìn)一步的目的是提供一種技術(shù)，該技術(shù)能使半導(dǎo)體區(qū)與導(dǎo)電層之間的連線電阻減小，因而加快了半導(dǎo)體集成電路器件的工作速度。

從下面的參考附圖的描述中，對(duì)本發(fā)明的上述的和未述及的目的和新的特性將是顯而易見的。

在此要提示的本發(fā)明的一個(gè)代表性的綜述將簡(jiǎn)述如下：

在把第一導(dǎo)電率類型半導(dǎo)體區(qū)和導(dǎo)電層連接起來的接觸孔以及把第二導(dǎo)電率類型半導(dǎo)體區(qū)和導(dǎo)電層連接起來的接觸孔，兩者均按通用工序形成之后，用離子注入的方法把第一導(dǎo)電率類型雜質(zhì)注入到第一導(dǎo)電率類型半導(dǎo)體區(qū)中。結(jié)果，形成這些接觸孔的工序可以減少到一個(gè)。

圖1是表示本發(fā)明的一種CMOS型半導(dǎo)體集成電路器件的剖視圖;

圖2A到2E是表明說明了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的制造工序的剖視圖;以及

圖3到圖6是分別地說明了本發(fā)明其它實(shí)施方案的剖視圖;

圖1表示一種具有本發(fā)明的CMOS結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體集成電路器件。

形成MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的區(qū)域是用場(chǎng)絕緣薄膜（或SiO₂）₂來表示的，該薄膜形成在由N型硅單晶制成的半導(dǎo)體基片1上。在形成于半導(dǎo)體基片1上的P^-型井區(qū)3和N^-型井區(qū)4中，分別地形成著N溝道的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管5，和P型溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管6。

M溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管5包括一層由二氧化硅制成的柵極絕緣薄膜21，由多晶硅制成的柵極電極7以及通過離子注入方式注入一種象砷（As）一類的N型雜質(zhì)而形成的N⁺型源或漏區(qū)8。源或漏區(qū)8的結(jié)深約為0.2微米。在區(qū)域8的一部分的下面（或在接觸孔的下面），形成有一個(gè)局部加深了的N⁺型半導(dǎo)體區(qū)域9，區(qū)域9和鋁線10相連。