[其他]半導(dǎo)體基片無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 85201474 | 申請(qǐng)日: | 1985-05-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN85201474U | 公開(公告)日: | 1986-02-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 淺井正人 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 夏普公司 |
| 主分類號(hào): | H01L12/302 | 分類號(hào): | H01L12/302;H01L29/04 |
| 代理公司: | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利代理部 | 代理人: | 肖春京,張衛(wèi)民 |
| 地址: | 日本大阪市*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 | ||
本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體基片的制作技術(shù),特別是涉及對(duì)在半導(dǎo)體基片上形成的定向面的改進(jìn)。
用來制造半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體基片,多是從晶體生長(zhǎng)制成的單晶硅塊上切成圓片狀的晶片,該晶片表面經(jīng)適當(dāng)研磨處理后,再供半導(dǎo)體制造工程使用。
單晶太陽(yáng)電池元件也可采用單晶硅基片來制作,基片的單晶體方位可選擇晶面為<100>形式。即,通過選擇腐蝕液將<100>基片表面加工成鋸齒狀凹凸表面,這樣,它就可以減少太陽(yáng)電池受光面的反射,達(dá)到提高光電轉(zhuǎn)換效率的目的。
因?yàn)閺膯尉ЬK上切下來的硅基片呈圓盤狀,為便于表示基片的方位及位置疊合,需將圓形基片1的一部分切成直線作為定向面。該定向面2通常形成(011)。用具有上述<100>晶面的單晶硅基片制作半導(dǎo)體器件時(shí),該基片在加工過程中會(huì)產(chǎn)生裂紋。如果檢查一下便知基片上的裂紋是發(fā)生在與上述定向面2成垂直或平行的方向上。
然而,如上所述,利用<100>單晶硅基片制作太陽(yáng)電池元件時(shí),為降低成本,最近常采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)將電極材料涂在基片表面上,然后燒結(jié),制成電極。當(dāng)利用絲網(wǎng)印刷形成電極時(shí),考慮到工藝性等,印刷方向往往采用與定向面成垂直或平行的方向。從印刷方向與半導(dǎo)體基片裂紋方向是一致的這一點(diǎn)來看,證明它是基片在加工過程中產(chǎn)生破裂和造成成品率下降的原因。
本發(fā)明克服了以往半導(dǎo)體基片的缺點(diǎn),提出了一種改進(jìn)的半導(dǎo)體基片的制作技術(shù),這種技術(shù)可以防止半導(dǎo)體基片在用來形成電極的絲網(wǎng)印刷工藝中產(chǎn)生斷裂。
本發(fā)明的另一目的是提供這樣一種半導(dǎo)體基片,這種半導(dǎo)體基片是在具有(100)晶面的單晶硅基片上,與(011)面所成的角度小于90°的位置上形成定向面,這樣就可以防止半導(dǎo)體基片的破裂。
本發(fā)明應(yīng)用的其他目的和更廣的范圍可從以下給出的詳細(xì)說明中看得很清楚。但是,應(yīng)該看到,用來表示本發(fā)明實(shí)施例的詳細(xì)說明,唯一和最好的方法是圖示,因?yàn)榘雽?dǎo)體專業(yè)人員根據(jù)該詳細(xì)說明即可了解本發(fā)明的要點(diǎn)和范圍內(nèi)的各種變化和修改。
為達(dá)到上述目的,作為利用本發(fā)明的半導(dǎo)體基片的一個(gè)實(shí)例,是在具有(100)晶面的單晶硅基片上偏離(011)面的角度小于90°的位置上形成定向面。
在上述單晶硅基片上形成凹凸表面,可以用作太陽(yáng)電池基片。
本發(fā)明可從以下給出的詳細(xì)說明和圖示中得到更好的了解,所以不限于本發(fā)明和本發(fā)明的某一點(diǎn)。
圖1是利用本發(fā)明制成的半導(dǎo)體基片的平面圖。
圖2是一般的半導(dǎo)體基片的平面圖。
如圖1所示,表示P型或n型的單晶硅半導(dǎo)體基片3加工成<100>面。對(duì)于該半導(dǎo)體基片3,定向面4與〔011〕方位所成的角θ小于90°,最好是45°。這就是說,形成定向面的方位避開了容易使半導(dǎo)體基片3產(chǎn)生斷裂的方位。
為將上述半導(dǎo)體基片3作成高效太陽(yáng)電池元件,其受光面經(jīng)研磨后,加工成微細(xì)的鋸齒狀凹凸表面。該凹凸面是將<100>單晶硅基片放入NaOH或KOH等堿性溶液中經(jīng)過腐蝕而形成的。
表面形成凹凸面的單晶硅基片3在其具有光電轉(zhuǎn)換機(jī)能的表面上形成pn結(jié)。該pn結(jié)是這樣形成的:將半導(dǎo)體基片3在雜質(zhì)氣分(其導(dǎo)電性與P型或n型導(dǎo)電性能相反)中加熱,或者在能利用熱處理生成氧化物得到減反射膜的溶液中預(yù)先添加具有相反導(dǎo)電性的雜質(zhì),再將溶液涂在半導(dǎo)體基片表面上,然后加熱,加熱的同時(shí),使表面變成相反的導(dǎo)電性。
形成pn結(jié)的半導(dǎo)體基片表面利用絲網(wǎng)印刷技術(shù)將電極材料印刷在p側(cè)及n側(cè),經(jīng)燒結(jié),形成與半導(dǎo)體基片成歐姆接觸的電極,從而制成太陽(yáng)電池元件。
由于絲網(wǎng)印刷上述電極材料的工藝是利用半導(dǎo)體基片的定向面4實(shí)現(xiàn)位置疊合,所以,印刷方向與過去的工藝不同,它是按箭頭A或箭頭B的方向進(jìn)行的,因此,半導(dǎo)體基片不易破裂。
利用上述方案,將(100)晶體單晶硅圓形基片的四周切去,在偏離(011)方位上形成定向面,可以防止半導(dǎo)體制造工藝中基片的斷裂和破壞,提高半導(dǎo)體器件的成品率。
上述發(fā)明,顯然可作多方面變化,這些變化并不偏離本發(fā)明的要點(diǎn)和范圍。所有這些修改都列入以下申請(qǐng)的內(nèi)容范圍內(nèi)。
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