[其他]濕法腐蝕裝置

無效

• 申請號: 85203849
• 申請日: 1985-09-17
• 公開（公告）號: CN85203849U
• 公開（公告）日: 1986-05-21
• 發明（設計）人: 劉振芳;蔡福興
• 申請（專利權）人: 航天工業部七七一研究所
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/306;H01L21/456
• 代理公司: 航天工業部專利事務所
• 代理人: 管潔,容敦璋

本實用新型涉及一種濕法化學腐蝕裝置。用于腐蝕介質薄膜，特別適用于半導體器件生產工藝中Si₃N₄介質膜的濕法腐蝕。

現有的半導體器件工藝中的濕法腐蝕裝置，一般都是一個帶蓋的容器。腐蝕時容器中的腐蝕液被加熱后很容易從蓋的縫隙中揮發掉，使腐蝕液的組分發生變化，腐蝕速率減慢，影響產品質量。為了解決這一問題，也在在蓋子上做一個夾層，通冷卻水，使蒸發出來的腐蝕液凝聚滴回原溶液中，但這種做法冷凝效果差，伋有很多腐蝕液蒸汽跑掉。

本實用新型的目的是要解決以最佳的冷凝效果來解決腐蝕液因受熱而引起的組分變化。

本實用新型是這樣實現的，它由帶有溫度測量的腐蝕容器和內側布滿迥形冷卻管的容器蓋構成。冷卻管的兩端與外面的冷卻水相通。

冷卻管進、出口和蓋子的交接處應沒有縫隙，蓋子和容器的接合面〔a〕應嚴密吻合。為了便于冷卻管與蓋子燒結或粘結在一起，冷卻管應采用和蓋子相同的材料。當進行腐蝕時，接通冷卻水，并使其保持一定的流速，使腐蝕時因受熱產生的腐蝕液蒸汽遇冷即凝結下來，滴回原腐蝕液中，這樣就能很好地保持腐蝕液組分，使腐蝕速率不發生改變，保證了腐蝕質量。另一方面，也不再因腐蝕液組分改變而頻繁更換腐蝕液，節約了成本。

這種腐蝕裝置，結構簡單，制造容易，可耐200℃的高溫。用石英材料作的這種裝置，腐蝕Si₃N₄薄膜，效果很好。使用這種裝置，腐蝕3吋硅片的Si₃N₄膜125片后換腐蝕液，而原來同樣大小容器、同樣量的腐蝕液只能腐蝕25片。

本腐蝕裝置的具體結構由以下非限定實施例及其附圖給出。

圖1是本實用新型的結構示意圖和A-A剖面圖。

圖中〔1〕是容器蓋，內側燒結著冷卻管〔3〕，燒結部位見〔b〕，冷卻管布滿于蓋子，管子的進水、出水口燒結在蓋子的兩相對側壁，也可以鄰側，冷卻管內徑為0.8cm或1cm，壁厚0.1cm或0.15cm。〔2〕是腐蝕容器，在容器的一側開一孔裝插溫度計的套管，套管位置稍微傾斜，距容器底約2cm，容器上口平面四周邊緣及與蓋子臺階接觸的四周邊緣〔a〕處應磨平。以上裝置全部由石英材料構成。