[其他]高跨導(dǎo)高厄利(Early)電壓模擬(MOS)晶體管

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 86100192
• 申請(qǐng)日: 1986-01-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN86100192A
• 公開(kāi)（公告）日: 1987-07-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬龍;錢(qián)其∴
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 南開(kāi)大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/78
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/78;H01L29/70;H01L27/06
• 代理公司: 南開(kāi)大學(xué)專(zhuān)利事務(wù)所
• 代理人: 耿錫錕

1、一種由一個(gè)MOS晶體管和一個(gè)雙極型晶體管(圖1、A)或者由兩個(gè)MOS晶體管(圖1、B)構(gòu)成的半導(dǎo)體集成器件，其特征在于增加了一個(gè)MOS晶體管或一個(gè)雙極型晶體管，一共由三支管子(二只MOS晶體管，一只雙極型晶體管)復(fù)合構(gòu)成甲乙兩類(lèi)(因?yàn)榫w管有兩種類(lèi)型，一類(lèi)有兩種等效復(fù)合方式)一共四種復(fù)合方式。

甲類(lèi)復(fù)合方式：MOS晶體管M₁的源極和三極管Q的基極連結(jié)，MOS晶體管M₂的柵極和晶體管Q的發(fā)射極連接，M₁的漏極、Q的集電極和M₂的源極連結(jié)，M₁、M₂是NMOS晶體管時(shí)，Q是NPN型晶體管，這是一種方式(圖2、A)，M₁M₂是PMOS晶體管時(shí)，Q是PNP型晶體管，構(gòu)成另一種復(fù)合方式(圖2、B)。

乙類(lèi)復(fù)合方式：M₁的源極、M₂的柵極和Q的集電極連接，M₁的漏極和Q的基極連結(jié)，M₂的源極和Q的發(fā)射極連結(jié)，當(dāng)M₁、M₂是NMOS時(shí)，Q是PNP管，構(gòu)成一種復(fù)合方式(圖3、A)，當(dāng)M₁、M₂是PMOS時(shí)，Q是NPN管，這是另一種復(fù)合方式(圖3、B)。

2、按照權(quán)力要求1所說(shuō)的甲類(lèi)復(fù)合方式，當(dāng)M₁、M₂是NMOS管，Q是NPN管時(shí)的版圖的結(jié)構(gòu)特征是在N型襯底上制作P₁阱和P₂阱，在P₁阱內(nèi)作N⁺₁和N⁺₂兩個(gè)區(qū)，由N⁺₁區(qū)引出S極，由N⁺₂的一側(cè)到P₁阱與P₂阱之間的N⁺₂的一側(cè)上面制作G₁，P₁阱和N⁺₂區(qū)在K處短接，作N⁺₃位于P₁阱和P₂阱之間且不留間隙，在P₂阱內(nèi)作N⁺₄區(qū)，在N⁺₄區(qū)與N⁺₃區(qū)之間的P₂阱上作G₂並與S相連結(jié)，P₂阱與N型襯底在F處短接。

3、按照權(quán)力要求1所說(shuō)的甲類(lèi)復(fù)合方式，當(dāng)M₁、M₂是PMOS時(shí)，Q是PNP管時(shí)的版圖結(jié)構(gòu)特征是，在P型襯底上，制作N₁阱和N₂阱，在N₁阱內(nèi)作P⁺₁和P⁺₂兩個(gè)區(qū)，由P⁺₁區(qū)引出S極，由P⁺₂的一側(cè)到N₁阱與N₂阱之間的P⁺₃的一側(cè)上面制作G₁，N₁阱和P⁺₂區(qū)在K處短接，作P⁺₃位于N₁阱和N₂阱之間且不留間隙，在N₂阱內(nèi)作P⁺₄區(qū)，在P⁺₄區(qū)與P⁺₂區(qū)之間的N₂阱上作G₂并與S相連結(jié)，N₂阱與P型襯底在F處短接。

4、根據(jù)權(quán)力要求1中的甲類(lèi)和乙類(lèi)復(fù)合形式所說(shuō)，其特征是M₂是耗盡型MOS晶體管。