[其他]硅基底上附有熱熔粘合劑的集成電路硅小片復(fù)合物的制做方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 86100204 | 申請日： | 1986-01-17 |
| 公開（公告）號： | CN86100204A | 公開（公告）日： | 1986-08-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 加里·查爾斯·戴維斯 | 申請（專利權(quán)）人： | 通用電氣公司 |
| 主分類號： | H01L21/72 | 分類號： | H01L21/72 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 劉元金,羅宏 |
| 地址： | 美國紐約州*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基底 附有 粘合劑 集成電路 小片 復(fù)合物 制做 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1、一種在硅基底上附有熱熔粘合劑的集成電路硅小片復(fù)合物的制做方法，其特征在于該方法包括：
(1)將一種熱熔粘合劑的有機(jī)溶劑溶液甩涂到其上表面，有著大量的集成電路的硅片的基底上。
(2)使涂好的熱熔粘合劑干燥。
(3)切割硅片以制備出大批在相應(yīng)基底上有一層熱熔粘合劑薄層的集成電路硅小片組合件。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所用的熱熔粘合劑是聚醚亞胺硅氧烷。
3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中將數(shù)片集成電路硅小片組合件粘在氧化鋁襯底，可制成集成電路硅組合件陣列。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
