[其他]利用空氣環(huán)境用冶金級(jí)硅粒子生產(chǎn)半導(dǎo)體級(jí)硅球產(chǎn)品

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 86100377
• 申請(qǐng)日: 1986-02-15
• 公開（公告）號(hào): CN86100377A
• 公開（公告）日: 1987-08-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱爾斯·D·李維;米勒德·J·詹遜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 德克薩斯儀器公司
• 主分類號(hào): C30B29/60
• 分類號(hào): C30B29/60
• 代理公司: 上海專利事務(wù)所
• 代理人: 顏承根

1、一種由相對(duì)低純度的冶金級(jí)材料形成太陽電池級(jí)硅半導(dǎo)體材料的方法，包括步驟：

(a)在空氣中處理相對(duì)低純度的半導(dǎo)體材料以便在其上形成一種熱穩(wěn)定化合物的氧化物表面層。

(b)將上述表面層內(nèi)的材料熔化，同時(shí)保持在上述表面層內(nèi)的熔化材料從而使在上述材料內(nèi)的雜質(zhì)向上述表面層移動(dòng)。

(c)使該材料冷卻從而在上述表面層內(nèi)形成一種單晶固體材料。

(d)從上就可完成粒子上去除上述表面層。

(e)在上述粒子上重復(fù)步驟(a)到(d)。

2、如權(quán)利要求1所述的方法，其中步驟（b）包括在空氣環(huán)境中熔化上述材料。

3、如權(quán)利要求1所述的方法，其中半導(dǎo)體材料取一由硅、鍺和砷化鎵所組成的類。

4、如權(quán)利要求2所述的方法，其中該半導(dǎo)體材料取自硅、鍺和砷化鎵所組成的類。

5、如權(quán)利要求1所述的方法，其中步驟（a）包括在大約1個(gè)大氣壓的空氣環(huán)境下把粒子加熱到1430℃的范圍內(nèi)，不超過1550℃，大約2分鐘到20分鐘。

6、如權(quán)利要求2所述的方法，其中步驟（a）包括在大約一個(gè)大氣壓的空氣環(huán)境下把粒子加熱到1430℃的范圍內(nèi)，不超過1550℃，大約2分鐘到20分鐘。

7、如權(quán)利要求3所述的方法，其中步驟（a）包括在大約一個(gè)大氣壓的空氣環(huán)境下把粒子加熱到1430℃的范圍內(nèi)，不超過1550℃，大約2分鐘到20分鐘。

8、如權(quán)利要求4所述的方法，其中步驟（a）包括在大約一個(gè)大氣壓的空氣環(huán)境下把粒子加熱到1430℃的范圍內(nèi)，不超過1550℃，大約2分鐘到20分鐘。

9、如權(quán)利要求1所述的方法，其中低純度的粒子是不規(guī)則形狀的。

10、如權(quán)利要求2所述的方法，其中低純度的粒子是不規(guī)則形狀的。

11、如權(quán)利要求3所述的方法，其中低純度的粒子是不規(guī)則形狀的。

12、如權(quán)利要求4所述的方法，其中低純度的粒子是不規(guī)則形狀的。

13、如權(quán)利要求5所述的方法，其中低純度的粒子是不規(guī)則形狀的。

14、如權(quán)利要求6所述的方法，其中低純度的粒子是不規(guī)則形狀的。

15、如權(quán)利要求7所述的方法，其中低純度的粒子是不規(guī)則形狀的。

16、如權(quán)利要求8所述的方法，其中低純度的粒子是不規(guī)則形狀的。

17、如權(quán)利要求1所述的方法，還包含在步驟（e）之前制造的大小分布均勻的上述粒子的步驟。

18、如權(quán)利要求4所述的方法，還包含在步驟（e）之前制造的大小分布均勻的上述粒子的步驟。

19、如權(quán)利要求4所述的方法，還包含在步驟（e）之前制造的大小分布均勻的上述粒子的步驟。

20、如權(quán)利要求16所述的方法，還包含在步驟（e）之前制造的大小分布均勻的上述粒子的步驟。