[其他]太陽能電池陣列

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 86100381
• 申請日: 1986-02-15
• 公開（公告）號: CN86100381A
• 公開（公告）日: 1987-08-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱爾斯·D·利維;米勒德·J·詹賽;羅納德·E·漢爾戴維·E·瓦特
• 申請（專利權(quán)）人: 得克薩斯儀器股份有限公司
• 主分類號: H01L31/06
• 分類號: H01L31/06;H01L31/18
• 代理公司: 上海專利事務(wù)所
• 代理人: 周佩中

1、一太陽能陣列包括：

a，第一鋁箔層內(nèi)有許多間隔的小孔，

b，許多半導(dǎo)體構(gòu)件，每個均有P型和N型區(qū)域，N型連接到所述的第一鋁箔，

c，接觸件和所述的第一鋁箔絕緣，并連接到P型區(qū)域。

2、如權(quán)利要求1所述的太陽能陣列，其中所述的接觸件是第二鋁箔。

3、如權(quán)利要求2所述的太陽能陣列，其中所述的半導(dǎo)體構(gòu)件是球形的。

4、如權(quán)利要求3所述的太陽能陣列，其中所述的半導(dǎo)體構(gòu)件的大園是在遠離所述的接觸件的所述的第一鋁箔該面的前方。

5、如權(quán)利要求4所述的太陽能陣列，進一步包括置于遠離在所述的接觸件的所述的第一鋁表面上的抗反射涂層。

6、一種制成太陽能陣列的方法，包括的步驟有：

a，提供第一鋁箔，

b，在所述箔上預(yù)定位置上形成小孔，

c，提供在P型內(nèi)芯上具有N型外殼的球形半導(dǎo)體粒子，

d，在所述的孔內(nèi)把所述的箔連接到所述的N型區(qū)域，

e，在所述的第一箔的一面上去除N型層，

f，在所述第一箔上的一面形成一絕緣層，并從這表面上去掉N型層，

g，去除所述粒子的P型芯的一部分和其上的絕緣層，

h，將第二鋁箔鍵合到已去除部分P型芯的區(qū)域。

7、如權(quán)利要求6所述的方法，進一步包括在步驟（h）前，先使去除P型芯子部分的區(qū)域粗糙的步驟。

8、如權(quán)利要求7所述的方法，進一步包括在遠離所述的第二箔的所述第一箔表面上形成一抗反射涂層的步驟。

9、如權(quán)利要求8所述的方法，其中步驟（d）包括將所述的粒子置放在遠離所述第二箔所述第一箔表面的前面具有所述粒子大園的所述孔中。

10、一種把半導(dǎo)體材料鍵合到鋁箔上去的方法，包括的步驟有：

a，提供其內(nèi)帶有不連續(xù)間隔的小孔的鋁箔，

b，放置球形半導(dǎo)體材料到毗鄰的所述的孔中，

c，在大約到500℃的范圍加熱所述箔和所述材料，

d，移動所述材料進入所述的孔，在力的作用下移動所述材料，因此在所述材料和所述箔表面上的自然氧化物被剪切以暴露相互鍵合用的底層材料。

11、如權(quán)利要求10所述的方法，其中步驟（d）包括在沖擊下的移動。

12、一種將半導(dǎo)體材料鍵合到鋁上的方法，包括的步驟有：

a，提供鋁構(gòu)件，

b，放置半導(dǎo)體材料到毗鄰所述的鋁構(gòu)件，

c，加熱所述的鋁構(gòu)件和所述的半導(dǎo)體材料，使溫度在大約500℃到577℃的范圍，

d，迫使所述的半導(dǎo)體材料進入所述的鋁構(gòu)件，在沖擊下，在沖擊點暴露元素鋁和半導(dǎo)體材料。

13、如權(quán)利要求12所述的方法，進一步包括在步驟（d）后冷卻半導(dǎo)體材料和鋁構(gòu)件到環(huán)境溫度的步驟，以在所述的鋁構(gòu)件和所述的半導(dǎo)體材料之間形成鍵合。

14、如權(quán)利要求12所述的方法，其中的半導(dǎo)體材料是硅。

15、一種在鋁箔上形成孔陣列的制造方法，包括的步驟有：

a，提供表面具有薄氧化物的鋁箔，

b，壓制所述的箔的預(yù)定位置不連接間隔區(qū)域以提供在所述箔中在所述的壓制面上減小厚度的區(qū)域。

c，沿所述箔的全部表面蝕刻所述的箔，以去除減小厚度的所述區(qū)域，以在所述的減小厚度的區(qū)域處在所述的箔上形成孔。

16、一種在硅體上形成接觸的方法，包括的步驟有：

a，提供表面具有氧化層的硅材，

b，機械去除所述的氧化層和所述硅材的一部分，

c，在去除硅材的區(qū)域，在硅材上提供粗糙表面，

d，在加溫時把接點鍵合到所述的粗糙表面，

17、一種如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述的接點是鋁接點。

18、如權(quán)利要求17所述的方法，其中所述的硅材是球形的，所述的接點是箔。