[其他]鍺酸鉍(BGO)單晶的表面拋光劑無效
| 申請號： | 86100517 | 申請日： | 1986-03-05 |
| 公開（公告）號： | CN86100517B | 公開（公告）日： | 1988-03-02 |
| 發明（設計）人： | 徐潤元 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號： | C09G1/02 | 分類號： | C09G1/02;C09G1/00;C09K3/14;B24B1/00 |
| 代理公司： | 中國科學院上海專利事務所 | 代理人： | 聶淑儀,潘振蘇 |
| 地址： | 上海市長寧*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鍺酸鉍 bgo 表面 拋光 | ||
【權利要求書】：
1、一種適合于BGO單晶體的表面拋光劑，其特征在于：
a.所使用的拋光磨料（α-Al2O3）的粒度范圍是：
精磨5＜d＜25微米;拋光1＜d＜5微米。
b.拋光劑的組成及配比范圍是：
磨料α-Al2O30.5～2公斤（經預處理）
潤滑劑丙三醇0.5～20%（體積）（按載液體積計算）
載液水1～30升
c.與拋光劑匹配的拋光膜是通常用于半導體硅單晶拋光用的合成樹脂拋光布。
2、根據權利要求1所述的拋光劑，其特征在于：
磨料的粒度為：精磨5～8（或8～13）微米;
拋光＜2（或＜5）微米。
3、根據權利要求1所述的拋光劑，其特征在于：
拋光劑的配比是：1公斤α-Al2O3（預處理的）加5～20升水，加1～10%（體積）的丙三醇。（按載液體積計算）
4、一種拋光磨料預處理的方法，其特征在于：磨料的預處理條件是：
1公斤α-AL2O3加4升水，沉淀10～40分鐘，棄去沉底部分。
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