[其他]拋光法U形槽隔離技術無效
| 申請號： | 86100527 | 申請日： | 1986-03-14 |
| 公開（公告）號： | CN86100527A | 公開（公告）日： | 1987-09-23 |
| 發明（設計）人： | 徐元森;陳明琪;吳佛春;曹樹洪;嚴金龍;陸錦蘭;何德淇;謝明綱;周弼蕓 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海冶金研究所 |
| 主分類號： | H01L21/76 | 分類號： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 中國科學院上海專利事務所 | 代理人： | 秀良赴,沈德新 |
| 地址： | 上海市長寧*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 拋光 隔離 技術 | ||
【權利要求書】：
1、本發明是U形槽隔離技術，屬于集成電路中元件間隔離層制造技術的改進。它包括反應離子刻蝕腐蝕隔離槽，用多晶硅填槽，削平槽外表面多晶硅。本發明的特征是用機械或化學機械拋光方法拋光槽外表面多晶硅。
2、如權利要求1所述U形槽隔離技術，其特征是化學機械拋光用的拋光液為B型拋光液：四甲基氫氧化銨，PH8-10，拋光時壓力1-2.5公斤/cm2，對多晶硅的拋光速率為0.1-2μm/分。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
