[其他]一種非接觸式微波測量半導體材料少子壽命的裝置

無效

• 申請號: 86101518
• 申請日: 1986-07-25
• 公開（公告）號: CN1003094B
• 公開（公告）日: 1989-01-18
• 發明（設計）人: 王宗欣
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: G01N22/00
• 分類號: G01N22/00
• 代理公司: 上海高校專利事務所
• 代理人: 王福新,樓濤

1、一種非接觸式微波測量半導體材料少子壽命的裝置，由微波源、光源、測試頭子及微波檢測器四部分組成，本發明的特征在于：該裝置的測試頭子由以下三個部件組成：

a.上部件〔1〕，其水平方向上的一端是一個呈尖劈形的介質波導-波導過渡，它接在檢波器波導〔7〕的波導口內，上部件的中間為矩形截面的介質波導，它的另一端是一個直角彎角，彎角與測試平臺的臺面垂直，在彎角的垂直部分開有一個上大下小的穿通圓孔〔2〕，圓孔的上方為光源〔9〕，垂直部分的底端為帶圓孔的矩形測量面。

b.下部件〔4〕的頂端與上部件〔1〕的垂直部分的底端的截面大小相同、位置對準，中間為同樣截面的矩形介質波導，下部件〔4〕的另一端為一個呈尖劈形的波導-介質波導過渡，它接在與微波源相連的衰減器波導〔6〕的波導口內。

c.放置樣品的介質測試平臺〔3〕，位于上部件彎角的垂直部分的底端和下部件〔4〕的頂端之間;測試平臺〔3〕的下方開有一個大于下部件〔4〕中介質波導矩形截面的圓型或矩形凹穴，用以容納下部件〔4〕的介質波導，上方為-放置待測樣品〔5〕的平面。

2、根據權利要求1所述的裝置，其特征在于測試頭子中的上部件〔1〕與下部件〔4〕采用Al₂O₃陶瓷材料或其它高介電常數的介質材料制成。

3、根據權利要求1所述的裝置，其特征在于測試頭子的測試平臺〔3〕用有機玻璃或聚四氟乙烯或其它低介電常數的介質材料制成。

4、一種反射式非接觸式微波測量半導體材料少子壽命的裝置，由微波源、光源、測試頭子及微波檢測器四部分組成。本發明的特征在于，該裝置的測試頭子由上部件〔1〕，介質測試平臺〔3〕組成。上部件〔1〕的尖劈形介質波導-波導過渡接在與環行器一端相連的波導口內，環形器的另外兩個端口、分別接微波源與檢波器;介質測試平臺〔3〕位于上部件〔1〕彎角的垂直部分的底端，微波訊號經環形器到達上部件〔1〕，由上部件〔1〕輸出的樣品反射信號經環行器到達檢波器上，再由顯示器顯示少子衰退曲線。