[其他]半導(dǎo)體器件

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 86101884
• 申請(qǐng)日: 1986-03-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN86101884A
• 公開(kāi)（公告）日: 1986-11-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 彼得·丹尼斯·斯科維爾;彼得·夫里德·布洛姆利;羅格·萊斯利·巴克;加里·約翰·托姆金斯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: ITT工業(yè)公司
• 主分類號(hào): H01L21/18
• 分類號(hào): H01L21/18;H01L29/72
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利代理部
• 代理人: 趙越

1、制造雙極晶體管的方法包括如下步驟；在未氧化的安排于半導(dǎo)體襯底之中的基區(qū)表面上確定多晶硅發(fā)射極臺(tái)面；對(duì)臺(tái)面的側(cè)壁和露出的未氧化的基區(qū)表面進(jìn)行氧化；至少使用了臺(tái)面的一個(gè)氧化的側(cè)壁作為注入掩模，將基極接觸區(qū)注入到襯底，以便與基區(qū)接觸，從而基極接觸區(qū)是與發(fā)射極自行對(duì)準(zhǔn)的。

2、根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中基區(qū)是穿過(guò)一安排在其上的氧化層，通過(guò)掩模層的窗口注入到襯底的，然后去掉被窗口露出的氧化層。

3、根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中臺(tái)面是由多晶硅層確定的，多晶硅層是在去掉被由窗口露出氧化層之后，淀積到襯底上的。

4、根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中臺(tái)面的確定包括合適的掩蔽多晶硅層和干法腐蝕。

5、根據(jù)權(quán)利要求3或權(quán)利要求4的方法，進(jìn)一步包括如下工藝步驟;從上述的多晶硅層至少確定一個(gè)多晶硅接觸對(duì)準(zhǔn)臺(tái)面的步驟，其對(duì)準(zhǔn)臺(tái)面是置于氧化層之上的，其對(duì)準(zhǔn)臺(tái)面的側(cè)壁在上述的氧化步驟中被氧化，包括使用對(duì)準(zhǔn)臺(tái)面的至少一個(gè)氧化的側(cè)壁作為注入掩膜，將收集極接觸區(qū)注入到襯底的步驟，因而，發(fā)射極和收集極接觸的間隔是由對(duì)準(zhǔn)臺(tái)面確定的。

6、基本上參照?qǐng)D1到圖6或附加或不加圖7的附圖所描述的雙極晶體管的制造方法。

7、根據(jù)上述權(quán)利要求的任何一個(gè)方法所制造的雙極晶體管。

8、一種雙極晶體管，它包括與基區(qū)接觸的多晶硅發(fā)射極臺(tái)面，基極接觸，及在制造晶體管之中作為基極接觸自對(duì)準(zhǔn)使用的發(fā)射極的氧化鍘壁。

9、根據(jù)權(quán)利要求8的雙極晶體管，其中發(fā)射極基本上被置于基區(qū)表面中心并包括置于發(fā)射極兩個(gè)相對(duì)側(cè)的兩個(gè)基極接觸區(qū)，并分別由發(fā)射極氧化側(cè)壁與其自對(duì)準(zhǔn)。

10、根據(jù)權(quán)利要求8或權(quán)利要求9的雙極晶體管，其中基區(qū)是置于襯底表面區(qū)的，并包括收集極到襯底的接觸。

11、根據(jù)權(quán)利要求10的雙極晶體管包括與發(fā)射臺(tái)面間隔開(kāi)的，并確定發(fā)射極和收集極接觸之間的距離的多晶硅對(duì)準(zhǔn)臺(tái)面。

12、基本上參照?qǐng)D1到圖6或附加或不加圖7的附圖所描述的雙極晶體管。