[其他]單疇熱釋電雙摻硫酸甘氨酸晶體的水溶液生長(zhǎng)無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 86101972 | 申請(qǐng)日： | 1986-03-22 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN1003658B | 公開(kāi)（公告）日： | 1989-03-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 房昌水;王民;張克從 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 山東大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào)： | 分類(lèi)號(hào)： | ||
| 代理公司： | 濟(jì)南三達(dá)專(zhuān)利事務(wù)所 | 代理人： | 孫君 |
| 地址： | 山東省*** | 國(guó)省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 單疇熱釋電雙摻 硫酸 甘氨酸 晶體 水溶液 生長(zhǎng) | ||
【權(quán)利要求書(shū)】：
1、一種雙摻單疇熱釋電晶體ATGSAs的水溶液生長(zhǎng)方法，生長(zhǎng)裝置、生長(zhǎng)溫度范圍和降溫速度等條件與純TGS晶體生長(zhǎng)相同，其特征在于，摻入L-丙氨酸部分取代甘氨酸，L-丙氨酸對(duì)甘氨酸的取代比例為8～18%M;摻入砷酸部分取代硫酸，砷酸對(duì)硫酸的取代比例為20～50%M;利用垂直于b軸的晶片做晶種，采用單面定向技術(shù)生長(zhǎng)ATGSAs大單晶。
2、如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，從單疇好的晶體-b端選擇（010）晶體作晶種，沿（010）面向前推移生長(zhǎng)。
3、如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，L-丙氨酸對(duì)甘氨酸的摻雜比例為10%M。
4、如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，砷酸對(duì)硫酸的摻雜比例為35%M。
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