[其他]制造快速晶閘管的擴金新工藝

無效

• 申請號: 86102417
• 申請日: 1986-04-10
• 公開（公告）號: CN86102417A
• 公開（公告）日: 1988-04-13
• 發明（設計）人: 卞抗
• 申請（專利權）人: 機械工業部西安整流器研究所
• 主分類號: H01L21/22
• 分類號: H01L21/22
• 代理公司: 西安電力機械制造公司專利事務所
• 代理人: 黃志堅

1、一種制造快速晶閘管的擴金新工藝，該工藝使得晶閘管的長基區陽極側金濃度低，陰極側金濃度高。其特征是：通過擴磷和腐蝕，在晶閘管的陰極形成磷層，在晶閘管的陽極擴硼，形成硼層。

2、根據權利要求1所述的擴金工藝，其特征是：在晶閘管陰極擴磷，其薄層電阻為0.4～0.6mV/□（在電流4.53mA時測得）。

3、根據權利要求1所述的擴金工藝，其特征是：晶閘管陽極擴硼，其薄層電阻是0.4～0.6mV/□。

4、根據權利要求2，3所述的擴金工藝，用腐蝕液腐蝕陰極磷層，保護已擴硼的陽極面，其特征是：腐蝕后得到陰極磷層濃度小于10²⁰/cm³。