[其他]可控硅串聯(lián)逆變器電路無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 86102497 | 申請日: | 1986-04-07 |
| 公開(公告)號: | CN86102497A | 公開(公告)日: | 1987-12-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李少平;李少彤 | 申請(專利權(quán))人: | 李少平 |
| 主分類號: | H02M7/515 | 分類號: | H02M7/515;H02M7/53 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 河南省鄭州市中*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 可控硅 串聯(lián) 逆變器 電路 | ||
1、一種抑制串聯(lián)逆變器電路中過電壓的方法,它以控制串聯(lián)迥路中電容器上的電壓為手段,其特征是:A、由串聯(lián)迥路中的電容器和附加的一個或數(shù)個可控開關(guān)組成輔助換流電路。B、利用該電容器上的電壓,由輔助換流電路強迫關(guān)斷正在導(dǎo)通的開關(guān)器件,同時,C、直接限制該電容器上電壓的增長并將串聯(lián)迥路里電抗器中多余的能量返回直流電源或作其它用途。
2、一種可控硅串聯(lián)逆變器電路,它由不對稱半橋式可控硅串聯(lián)逆變電路和附加的可控硅組成。其中,不對稱半橋式可控硅串聯(lián)逆變電路由直流電源1,可控硅2,電容器3,電抗器4,次級帶負(fù)載6的輸出變壓器5依次串聯(lián)聯(lián)接構(gòu)成的串聯(lián)迥路,以及陽極和陰極分別接可控硅2的陰極和直流電源1的負(fù)(-)端的可控硅7組成。本發(fā)明的特征是:A、附加的可控硅8跨接在電源1的正(+)端和電容器3,電抗器4的公共聯(lián)接點之間,其陰極接電源1的正(+)端。B、以權(quán)利要求1的方法來抑制該可控硅串聯(lián)逆變器電路中的過電壓。
3、根據(jù)權(quán)利要求1,附加的可控開關(guān)可以是可控硅,晶體管或其它具有可控開關(guān)功能的組件。
4、根據(jù)權(quán)利要求1,當(dāng)由輔助換流電路強迫關(guān)斷正在導(dǎo)通的開關(guān)器件時,電容器上的電壓值大于直流電源電壓值。
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H02M7-00 交流功率輸入變換為直流功率輸出;直流功率輸入變換為交流功率輸出
H02M7-02 .不可逆的交流功率輸入變換為直流功率輸出
H02M7-42 .不可逆的直流功率輸入變換為交流功率輸出的
H02M7-66 .帶有可逆變的
H02M7-68 ..用靜態(tài)變換器的
H02M7-86 ..用動態(tài)變換器的





