[其他]金屬—氧化鋁—硅結構濕度傳感器及其制備工藝

無效

• 申請號: 86102535
• 申請日: 1986-10-17
• 公開（公告）號: CN86102535B
• 公開（公告）日: 1988-11-16
• 發明（設計）人: 駱如楊
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海冶金研究所
• 主分類號: G01W1/02
• 分類號: G01W1/02;G01R27/26;H01G7/00
• 代理公司: 中國科學院上海專利事務所
• 代理人: 季良赳,沈德新

1、一種半導體-氧化物-金屬（MOS）型濕度傳感器，其中的半導體是Si，氧化物是Al₂O₃，金屬采用Cr-Au。本發明的特征在于Al₂O₃為α相，厚度為1500-2200。

2、一種半導體-氧化物-金屬（MOS）型濕度傳感器的制備方法，包括傳統的半導體器件制備工藝中的清洗、光刻、氧化、蒸發、采用酒石酸銨的陽極氧化工藝，本發明的特征在于陽極氧化工藝中，先在酒石酸銨∶乙二醇為1∶1.7～5的溶液中進行室溫恒流（1m/cm²）陽極氧化，然后再在重量百分濃度為3%的酒石酸銨溶液中進行恒壓陽極氧化，溫度30℃，電壓60-90V，時間20-50小時，最后，在N₂氣流下進行熱處理，熱處理溫度900～1100℃，時間1-2小時。

3、按權利要求2所述的濕度傳感器的制備方法，其特征在于，最佳的熱處理溫度是1000℃。

4、按權利要求2或3所述的濕度傳感器的制備方法，其特征在于熱處理除了在N₂流下進行以外也可以在Ar流下進行。