[其他]溴強(qiáng)腐蝕混合源抑制自摻雜硅外延

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 86102688
• 申請(qǐng)日: 1986-04-16
• 公開（公告）號(hào): CN86102688A
• 公開（公告）日: 1987-10-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉明登;湯廣平;全寶富
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 吉林大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L21/205
• 分類號(hào): H01L21/205
• 代理公司: 吉林大學(xué)專利事務(wù)所
• 代理人: 楊德勝

1、一種溴強(qiáng)腐蝕混合源抑制自摻雜硅外延工藝，其特征在于使用了濃硫酸脫水溴拋光，并且在外延生長前對(duì)硅襯底實(shí)行溴強(qiáng)腐蝕和背面封閉，在外延生長時(shí)采用四氯化硅和硅烷混合源外延生長。

2、一種按照權(quán)利要求1所述的抑制自摻雜硅外延工藝，其特征在于經(jīng)氫氣攜帶的溴進(jìn)入濃硫酸液體后完成脫水。

3、一種按照權(quán)利要求1所述的抑制自摻雜硅外延工藝，其特征在于經(jīng)濃硫酸脫水后的溴在1050℃-1250℃溫度下，按照比例 (氫氣流量)/(載溴氫氣流量) ＝ (15升)/(0.2升) - (15升)/(0.6升) ，對(duì)硅襯底實(shí)行強(qiáng)腐蝕，使硅襯底背面同時(shí)遷移厚度為2微米以上的多晶硅。

4、一種按照權(quán)利要求1所述的抑制自摻雜硅外延工藝，其特征在于使四氯化硅和硅烷共同進(jìn)入外延系統(tǒng)，其摩爾比例為〔SiCl₄〕∶〔SiH₄〕＝7∶3-3∶7。

5、按照權(quán)利要求1和2所述的濃硫酸系指化學(xué)純度為優(yōu)級(jí)純硫酸。