[其他]超大規(guī)模集成電路的局部互連方法及其結構

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 86103067
• 申請日: 1986-04-30
• 公開（公告）號: CN86103067A
• 公開（公告）日: 1987-07-15
• 發(fā)明（設計）人: 羅杰·A·納肯;湯姆士·C·哈羅偉;湯姆士·E·塔;魏切常;蒙蒂·A·道格拉斯;里拉·雷·海特;里查德·A·查普曼;戴維·A·比爾;羅伯特·格羅夫III
• 申請（專利權）人: 得克薩斯儀器公司
• 主分類號: H01L21/70
• 分類號: H01L21/70;H01L27/02
• 代理公司: 上海專利事務所
• 代理人: 馮曉明

1、一種用于制造集成電路的加工方法，本發(fā)明的特征在于，這種方法包括下列步驟：

(a)提供一襯底；

(b)在一預定的圖形中提供器件隔離區(qū)以便將一壕區(qū)限定在預定的部位中；

(c)在上述壕區(qū)的預定部位制作絕緣柵場效應晶體管；

(d)在整個襯底沉積一種主要是由鈦組成的金屬：

(e)在一容有氮氣的環(huán)境中對上述襯底和上述鈦金屬加熱，以便使上述鈦金屬與上述鈦金屬與上述襯底暴露在外的硅部分起反應從而形成硅化鈦，上述鈦金屬的其他部分也與上述氮氣環(huán)境起反應，從而形成一種在其表面具有大部分的氮化鈦的層；以及

(f)對上述氮化鈦層制作圖形以便在預定的圖形中提供局部互連。

2、據權利要求1所述的加工方法，其特征在于，在上述的硅化步驟（e）之后進一步包括附加的步驟：

（g）對上述硅化鈦區(qū)進行退火以便降低其電阻率。

3、據權利要求1或2所述的加工方法，其特征在于，上述加熱步驟（e）是在500℃至750℃的溫度范圍之內執(zhí)行的，接在上述步驟（e）之后的退火步驟（g）是在700℃至875℃的一個較高的溫度范圍之內執(zhí)行的。

4、據權利要求1所述的加工方法，其特征在于，所涂敷的上述鈦金屬的厚度是一個低于2000埃的厚度。

5、據權利要求1所述的加工方法，其特征在于，上述加熱步驟（e）是在500℃至750℃的溫度范圍之內執(zhí)行。

6、據權利要求1所述的加工方法，其特征在于，采用一無機的硬掩模來對上述氮化鈦制作圖形。

7、據權利要求1所述的加工方法，其特征在于，采用一注入硬化的光致抗蝕劑層對上述氮化鈦制作圖形。

8、據權利要求1所述的加工方法，其特征在于，通過采用一制圖形的注入劑對上述氮化鈦制作圖形以便將不同的抵抗力賦于后繼的蝕刻步驟。

9、據權利要求1所述的加工方法，其特征在于，通過采用一制圖形的氧氣注入劑對上述氮化鈦制作圖形以便將將不同低抗力賦于后繼的蝕刻步驟。

10、據權利要求1所述的加工方法，其特征在于，對上述氮化鈦的制作圖形的步驟是采用一基本上是各向同性的蝕刻劑來加以執(zhí)行的。

11、據權利要求1所述的加工方法，其特征在于，對上述氮化鈦制作形的步驟是先采用一各向異性的蝕刻劑，其后采用一基本上是各向同性的蝕刻劑來加以執(zhí)行的。

12、據權利要求1所述的加工方法，其特征在于，在步驟（c）中：

上述襯底包括含有p+源極/漏極區(qū)的PMOS壕區(qū)和含有n+源極/漏極區(qū)的NMOS壕區(qū)這兩個壕區(qū)，

在步驟（f）中：

對上述氮化鈦層制作圖形以便提供從上述p+源極/漏極區(qū)的預定區(qū)域到上述n+源極/漏極區(qū)的預定區(qū)域的預定的連接。

13、據權利要求12所述的加工方法，其特征在于，在步驟（c）中：

上述絕緣柵場效應晶體管包括多晶體的、含有大部分硅的絕緣柵區(qū)域，

在步驟（f）中：

對在上述氮化鈦層制作圖形以便提供從上述柵極區(qū)的預定區(qū)域到上述源極/漏極區(qū)的預定區(qū)域的連接。

14、據權利要求12所述的加工方法，其特征在于，在步驟（c）中：

上述絕緣柵場效應晶體管包括多晶體的、含有大部分硅的絕緣柵區(qū)域，

在步驟（f）中：

對上述氮化鈦層制作圖形以便提供從上述柵極區(qū)的預定區(qū)域到上述p+源極/漏極區(qū)的預定區(qū)域的連接，也提供從上述柵極區(qū)域的預定區(qū)域到上述n+源極/漏極區(qū)的預定區(qū)域的連接。

15、據權利要求1中所述的加工方法，其特征在于，在步驟（c）中：

上述絕緣柵場效應晶體管包括多晶體的、含有大部分硅的絕緣柵區(qū)域，

在步驟（f）中：

對上述氮化鈦層制作圖形以便提供從上述柵極區(qū)的預定區(qū)域到上述源極/漏極區(qū)的預定區(qū)域的連接。

16、據權利要求1中所述的加工方法，其特征在于，上述加熱步驟（e）是在550℃到700℃的溫度范圍內執(zhí)行的。