[其他]超大規(guī)模集成電路的局部互連方法及其結(jié)構(gòu)

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 86103067
• 申請(qǐng)日: 1986-04-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN86103067A
• 公開(kāi)（公告）日: 1987-07-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅杰·A·納肯;湯姆士·C·哈羅偉;湯姆士·E·塔;魏切常;蒙蒂·A·道格拉斯;里拉·雷·海特;里查德·A·查普曼;戴維·A·比爾;羅伯特·格羅夫III
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 得克薩斯儀器公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/70
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/70;H01L27/02
• 代理公司: 上海專(zhuān)利事務(wù)所
• 代理人: 馮曉明

1、一種用于制造集成電路的加工方法，本發(fā)明的特征在于，這種方法包括下列步驟：

(a)提供一襯底；

(b)在一預(yù)定的圖形中提供器件隔離區(qū)以便將一壕區(qū)限定在預(yù)定的部位中；

(c)在上述壕區(qū)的預(yù)定部位制作絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管；

(d)在整個(gè)襯底沉積一種主要是由鈦組成的金屬：

(e)在一容有氮?dú)獾沫h(huán)境中對(duì)上述襯底和上述鈦金屬加熱，以便使上述鈦金屬與上述鈦金屬與上述襯底暴露在外的硅部分起反應(yīng)從而形成硅化鈦，上述鈦金屬的其他部分也與上述氮?dú)猸h(huán)境起反應(yīng)，從而形成一種在其表面具有大部分的氮化鈦的層；以及

(f)對(duì)上述氮化鈦層制作圖形以便在預(yù)定的圖形中提供局部互連。

2、據(jù)權(quán)利要求1所述的加工方法，其特征在于，在上述的硅化步驟（e）之后進(jìn)一步包括附加的步驟：

（g）對(duì)上述硅化鈦區(qū)進(jìn)行退火以便降低其電阻率。

3、據(jù)權(quán)利要求1或2所述的加工方法，其特征在于，上述加熱步驟（e）是在500℃至750℃的溫度范圍之內(nèi)執(zhí)行的，接在上述步驟（e）之后的退火步驟（g）是在700℃至875℃的一個(gè)較高的溫度范圍之內(nèi)執(zhí)行的。

4、據(jù)權(quán)利要求1所述的加工方法，其特征在于，所涂敷的上述鈦金屬的厚度是一個(gè)低于2000埃的厚度。

5、據(jù)權(quán)利要求1所述的加工方法，其特征在于，上述加熱步驟（e）是在500℃至750℃的溫度范圍之內(nèi)執(zhí)行。

6、據(jù)權(quán)利要求1所述的加工方法，其特征在于，采用一無(wú)機(jī)的硬掩模來(lái)對(duì)上述氮化鈦制作圖形。

7、據(jù)權(quán)利要求1所述的加工方法，其特征在于，采用一注入硬化的光致抗蝕劑層對(duì)上述氮化鈦制作圖形。

8、據(jù)權(quán)利要求1所述的加工方法，其特征在于，通過(guò)采用一制圖形的注入劑對(duì)上述氮化鈦制作圖形以便將不同的抵抗力賦于后繼的蝕刻步驟。

9、據(jù)權(quán)利要求1所述的加工方法，其特征在于，通過(guò)采用一制圖形的氧氣注入劑對(duì)上述氮化鈦制作圖形以便將將不同低抗力賦于后繼的蝕刻步驟。

10、據(jù)權(quán)利要求1所述的加工方法，其特征在于，對(duì)上述氮化鈦的制作圖形的步驟是采用一基本上是各向同性的蝕刻劑來(lái)加以執(zhí)行的。

11、據(jù)權(quán)利要求1所述的加工方法，其特征在于，對(duì)上述氮化鈦制作形的步驟是先采用一各向異性的蝕刻劑，其后采用一基本上是各向同性的蝕刻劑來(lái)加以執(zhí)行的。

12、據(jù)權(quán)利要求1所述的加工方法，其特征在于，在步驟（c）中：

上述襯底包括含有p+源極/漏極區(qū)的PMOS壕區(qū)和含有n+源極/漏極區(qū)的NMOS壕區(qū)這兩個(gè)壕區(qū)，

在步驟（f）中：

對(duì)上述氮化鈦層制作圖形以便提供從上述p+源極/漏極區(qū)的預(yù)定區(qū)域到上述n+源極/漏極區(qū)的預(yù)定區(qū)域的預(yù)定的連接。

13、據(jù)權(quán)利要求12所述的加工方法，其特征在于，在步驟（c）中：

上述絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括多晶體的、含有大部分硅的絕緣柵區(qū)域，

在步驟（f）中：

對(duì)在上述氮化鈦層制作圖形以便提供從上述柵極區(qū)的預(yù)定區(qū)域到上述源極/漏極區(qū)的預(yù)定區(qū)域的連接。

14、據(jù)權(quán)利要求12所述的加工方法，其特征在于，在步驟（c）中：

上述絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括多晶體的、含有大部分硅的絕緣柵區(qū)域，

在步驟（f）中：

對(duì)上述氮化鈦層制作圖形以便提供從上述柵極區(qū)的預(yù)定區(qū)域到上述p+源極/漏極區(qū)的預(yù)定區(qū)域的連接，也提供從上述柵極區(qū)域的預(yù)定區(qū)域到上述n+源極/漏極區(qū)的預(yù)定區(qū)域的連接。

15、據(jù)權(quán)利要求1中所述的加工方法，其特征在于，在步驟（c）中：

上述絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括多晶體的、含有大部分硅的絕緣柵區(qū)域，

在步驟（f）中：

對(duì)上述氮化鈦層制作圖形以便提供從上述柵極區(qū)的預(yù)定區(qū)域到上述源極/漏極區(qū)的預(yù)定區(qū)域的連接。

16、據(jù)權(quán)利要求1中所述的加工方法，其特征在于，上述加熱步驟（e）是在550℃到700℃的溫度范圍內(nèi)執(zhí)行的。