[其他]硅的多重吸雜技術(shù)及多重吸雜硅片

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 86104069
• 申請日: 1986-06-09
• 公開（公告）號: CN86104069A
• 公開（公告）日: 1987-02-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 傅有文;何偉全;樊世緒;卓建會;肖德檸
• 申請（專利權(quán)）人: 電子工業(yè)部第四十四研究所
• 主分類號: C30B31/06
• 分類號: C30B31/06
• 代理公司: 重慶專利事務(wù)所
• 代理人: 李啟良

1、一種多重吸雜硅片，它具有襯底層[5]，高濃度磷吸雜層[1]，其特征在于多重吸雜硅片還具有多晶吸雜層[3]，高密度缺陷單晶吸雜層[4]，用以增強磷吸雜層[1]及多晶吸雜層[3]的吸雜效果的單晶阻擋層[2]。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的多重吸雜硅片，其特征在于多晶吸雜層〔3〕由多晶硅構(gòu)成，多晶硅厚度為2～6μm。

3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的多重吸雜硅片，其特征在于高密度缺陷單晶吸雜層〔4〕由單晶硅構(gòu)成，單晶硅厚度為4～15μm，單晶硅層錯面密度為1×10⁶～1×10⁷cm^-2。

4、一種用于制備多重吸雜硅片的技術(shù)，這種技術(shù)具有獲得磷吸雜源的高濃度磷擴散技術(shù)，其特征在于這種技術(shù)還具有外延生長單晶阻擋層〔2〕的技術(shù)，外延生長多晶吸雜層〔3〕的技術(shù)，外延生長高密度缺陷單晶吸雜層〔4〕的技術(shù)。

5、根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備多重吸雜硅片的技術(shù)，其特征在于外延生長單晶阻擋層〔2〕的技術(shù)是一種單晶硅化學(xué)汽相外延技術(shù)，本技術(shù)中外延溫度為1100～1250℃，外延時間為4～15分鐘，保護(hù)氣體總流量為5～18升/分，攜帶氣體流量為1～3升/分。

6、根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備多重吸雜硅片的技術(shù)，其特征在于外延生長多晶吸雜層〔3〕的技術(shù)是一種多晶硅化學(xué)汽相外延技術(shù)，本技術(shù)中，外延溫度為750～1050℃，外延時間為1～7分鐘，保護(hù)氣體總流量為5～18升/分，攜帶氣體流量為0.5～3升/分。

7、根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備多重吸雜硅片的技術(shù)，其特征在于外延生長高密度缺陷單晶吸雜層〔4〕的技術(shù)是一種單晶硅化學(xué)汽相外延技術(shù)，本技術(shù)中，外延溫度為1150～1260℃，外延時間為5～18分鐘，保護(hù)氣體總流量為7～18升/分，攜帶氣體流量為0.5～3升/分。