[其他]改進(jìn)的電弧汽相淀積方法及設(shè)備無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 86104365 | 申請日: | 1986-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN86104365A | 公開(公告)日: | 1987-05-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 克拉克·伯格曼 | 申請(專利權(quán))人: | 安達(dá)爾公司 |
| 主分類號: | C23C14/24 | 分類號: | C23C14/24 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利代理部 | 代理人: | 郁玉成 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 改進(jìn) 電弧 汽相淀積 方法 設(shè)備 | ||
1、一種適用于在抽空的淀積室中,利用發(fā)生于一個消耗涂層材料源陰極與一個陽極之間電弧所形成的涂層等離子體在基片上進(jìn)行汽相淀積的工藝方法,該工藝方法包括:
(a)對淀積室抽真空;
(b)在抽了真空的室中,建立陽極消耗涂層材料源陰極之間的第一電位差和電返回通路,此電位差足夠大以保持陰極和陽極之間的電弧放電;
(c)激發(fā)所述消耗陰極和所述陽極之間的電弧;
(d)在所述抽空的室中的至少一個導(dǎo)電表面和所述陰極之間建立第二電位差,該電位差值稍小于所述第一電位差,其中,相對于所述陰極來說,所述陽極比所述的一個導(dǎo)電表面受到更正的電偏壓;
(f)相對于所述消耗陰極,如此構(gòu)制和設(shè)置所述淀積室中的所述陽極,使得由所述電弧從所述消耗陰極放出的電子被吸引向所述陽極會比被吸引向所述的一個導(dǎo)電表面更多。
2、如權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述的一個導(dǎo)電表面至少包括所述真空室內(nèi)壁的一部分。
3、如權(quán)利要求2所述的方法,其中,所述真空室的內(nèi)壁部分實際上至少包括延展在所述陰極的所希汽化表面的總平面與所述陽極之間的所述真空室壁區(qū)域的一部分。
4、如權(quán)利要求1所述的方法,其中,維持所述第二電位差的步驟利用在所述陽極與所述一個導(dǎo)電表面間的電阻性導(dǎo)電通路來進(jìn)行。
5、如權(quán)利要求4所述的方法,其中,所述電阻性導(dǎo)電通路包括一個電阻值范圍在1~300歐姆的電阻網(wǎng)路。
6、如權(quán)利要求5所述的方法,其中,所述電阻網(wǎng)絡(luò)電阻值范圍大約是1~10歐姆。
7、如權(quán)利要求4所述的方法,其中,電阻性導(dǎo)電通路包括可變電阻裝置。
8、如權(quán)利要求1所述的方法,其中,維持所述第二電位差的步驟利用一個有效地連接在所述陽極與所述一個導(dǎo)電表面之間電壓源來提供。
9、如權(quán)利要求1所述的方法,其中,流經(jīng)所述陽極與所述一個導(dǎo)電表面之間的電流通路的電弧電流部分小于整個電弧電流的百分之十。
10、如權(quán)利要求9所述的方法,其中,流經(jīng)所述陽極與所述一個導(dǎo)電表面之間的電流通路的電弧電流部分小于整個電弧電流的百分之五。
11、如權(quán)利要求9所述的方法,其中,流經(jīng)所述陽極與所述一個導(dǎo)電表面之間的電流通路的電弧電流部分小于整個電弧電流的百分之一。
12、如權(quán)利要求1所述的方法,其中,使所述陽極在所述真空室中相對于所述陰極被如此構(gòu)制和設(shè)置,使得在所述陰極的一個所希陰極汽化表面與所述陽極間的相對有效間隔至少大約是在陰極與所述一個導(dǎo)電表面之間有效間隔的二倍。
13、如權(quán)利要求1所述的方法,其中,陽極被配置得有效地面對所述陰極的一個所希汽化表面,其中,上述所希汽化表面具有一個外圍邊界,而且能夠有效地從所述陰極視見的所述陽極的最外面部分伸展超出一個垂直平面,該垂直平面穿過所述外圍邊界且以一個大約等于或小于上述陽極與上述所希汽化表面之間間隔距離一半的距離一半的距離垂直于上述所希汽化表面。
14、如權(quán)利要求1所述的方法,其中,由所述電弧攜帶的電流約小于50安培。
15、如權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述一個導(dǎo)電表面加上地電位偏壓。
16、如權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述陽極有效地基本位于一個與所述陰極的所希汽化表面平行且相隔開的平面中。
17、如權(quán)利要求16所述的方法,其中所述陽極通常為環(huán)形。
18、一種具有實施權(quán)利要求1方法而構(gòu)制和設(shè)置的部件的電弧氣相淀積設(shè)備。
19、一種具有實施權(quán)利要求2方法而構(gòu)制和設(shè)置的部件的電弧汽相淀積設(shè)備。
20、一種具有實施權(quán)利要求4方法而構(gòu)制和設(shè)置的部件的電弧汽相淀積設(shè)備。
21、一種具有實施權(quán)利要求8方法而構(gòu)制和設(shè)置的部件的電弧汽相淀積設(shè)備。
22、一種具有實施權(quán)利要求16方法而構(gòu)制和設(shè)置的部件的電弧氣相淀積設(shè)備。
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