[其他]多層外延砷化鎵的雙源法和裝置

無效

• 申請號: 86104689
• 申請日: 1986-07-10
• 公開（公告）號: CN86104689A
• 公開（公告）日: 1988-01-27
• 發明（設計）人: 楊韌
• 申請（專利權）人: 楊韌
• 主分類號: H01L21/223
• 分類號: H01L21/223;H01L21/205;C30B31/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1、氣相外延摻Te或摻SnGaAs，且在同一次中實現不同摻雜濃度的多層生長，本方法的特征是通過改變反應管內鎵源和雜源溫度，以調制不同的摻雜濃度，及至把鎵源處于550℃以下的“休息”狀態，實現重摻n⁺⁺層的生長。同時，每層生長前，都是磁拉熱容量小的托板及其上襯底至微腐蝕區進行氣相腐蝕，以避開緩變層的生長。

2、使用如權利要求1所述方法的裝置，由反應管及其內的源、納污管、襯底托板組成，其特征為在反應過程中通過外部線圈磁拉使其移動的鎵源，及與其連結而又被多孔篩板隔開的雜源，通過另一組外部線圈磁拉的襯底托板，放在反應管底部的帶有凹面的靠兩個密合使逆流氣體通過它的納污管。