[其他]動(dòng)能調(diào)制熱電子晶體管

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 86105050
• 申請(qǐng)日: 1986-08-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN86105050A
• 公開(kāi)（公告）日: 1988-03-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱恩均
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 朱恩均
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/68
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/68
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1、本發(fā)明提出了一種新型結(jié)構(gòu)熱電子晶體管，它的輸入電壓不改變輸入電流的大小，而是調(diào)制電子流的動(dòng)能，改變它越過(guò)集電極勢(shì)壘的幾率從而控制輸出電流。

2、根據(jù)權(quán)利要求1，輸入異質(zhì)結(jié)包括一薄勢(shì)壘層，電子可以籍隧道效應(yīng)穿過(guò)它，同時(shí)包括一較厚的漂移區(qū)，組成這二層的材料分別是Ga_0.65Al_0.35As（50）和GaAs（1000），n＝2.10¹⁵cm^-3）也可以選取其它可構(gòu)成異質(zhì)勢(shì)壘之材料。

3、根據(jù)權(quán)利要求1，輸出集電極異質(zhì)結(jié)勢(shì)壘較厚（200）動(dòng)能不足夠，不能越過(guò)它的電子將被阻擋，它也同時(shí)包括一較厚的漂移區(qū)，以減少偏壓對(duì)勢(shì)壘高度的影響，并降低電容。

4、根據(jù)權(quán)利要求1，除了兩層勢(shì)壘區(qū)外，其它部分的材料將是具有高遷移率，長(zhǎng)電子自由路程以及極高電子彈道運(yùn)動(dòng)速度的材料。例如GaAs組成勢(shì)壘區(qū)的材料應(yīng)是和本體各層晶格匹配、禁帶更寬，電子親和勢(shì)低，能形成勢(shì)壘的材料。例如Ga_0.65Al_0.35As。