[其他]磁阻讀出傳感器無效
| 申請號: | 86105533 | 申請日: | 1986-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN86105533A | 公開(公告)日: | 1987-04-29 |
| 發明(設計)人: | 唐清華 | 申請(專利權)人: | 國際商用機器公司 |
| 主分類號: | G11B5/12 | 分類號: | G11B5/12 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人: | 王以平 |
| 地址: | 美國紐約州*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 磁阻 讀出 傳感器 | ||
1、具有用磁性材料制成的磁阻導電層的磁阻讀出傳感器組件,上述磁阻導電層具有被中心區域隔開的端區;
其特征在于:
具有僅在上述磁阻層的上述端區產生縱向偏置磁場的裝置,該偏置場的強度足以保持上述磁阻層的上述端區處于單磁疇狀態,由此在上述中心區域內感生出單磁疇狀態;
具有至少在上述磁阻層的上述中心區的部分區域內產生橫向偏置磁場的裝置,該偏置場的強度足以保持上述磁阻層的上述加有橫向偏置場的部分處于線性響應工作狀態;以及具有在上述中心區域內與上述磁阻層相連接的導電裝置,用以限定探測區,由此連接到導電裝置的讀出裝置能夠確定上述磁阻層探測區內電阻的變化,該變化是由上述磁阻層感測到的磁場的函數。
2、權利要求1的磁阻讀出傳感器組件,其中,上述磁阻層為鎳鐵(NiFe)。
3、權利要求2的磁阻讀出傳感器組件,其中,上述磁阻層的厚度范圍在200~500埃。
4、權利要求1的磁阻讀出傳感器,其進一步的特征在于:
具有僅與上述磁阻層的上述端區直接接觸的一個反鐵磁性材料薄層,用以通過互調偏置僅在上述端區產生上述縱向偏置飾場。
5、權利要求4的磁阻讀出傳感器組件,其中上述反鐵磁性材料薄膜為錳鐵(MnFe)。
6、權利要求5的磁阻讀出傳感器組件,其中,上述反鐵磁性材料薄膜的厚度范圍在100~500埃。
7、權利要求1的磁阻讀出傳感器組件,其中,上述導電裝置包括相隔一定間距的導電元件,并且上述探測區的范圍由上述導電元件的邊緣內側所限定。
8、權利要求1的磁阻讀出傳感器組件,其中,上述未加縱向磁場偏置的磁阻層的范圍、上述探測區,以及至少一部分施加了橫向偏置磁場的上述中心區的尺寸基本相等。
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