[其他]清潔短路后的濺鍍室高壓陰極的方法和裝置無效
| 申請號: | 86105616 | 申請日: | 1986-07-26 |
| 公開(公告)號: | CN86105616A | 公開(公告)日: | 1987-04-22 |
| 發明(設計)人: | 克倫斯·加里·費弗爾 | 申請(專利權)人: | 西屋電氣公司 |
| 主分類號: | C23C14/34 | 分類號: | C23C14/34 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人: | 范本國 |
| 地址: | 美國賓*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 清潔 短路 濺鍍室 高壓 陰極 方法 裝置 | ||
1、一種清除導電材料構成的短路積物的方法,由布置在一個濺鍍室中并受直流電源激勵的濺鍍陰極組件進行,該直流電源足能使濺鍍陰極組件建立和維持濺鍍等離子體,其特征為下列步驟:
(a)遮斷從直流電流供給該陰極組件的直流功率,(b)對陰極組件提供足能蒸發所述的積物和足能建立并維持濺鍍等離子體的電源。
2、如權利要求1所述的方法,其特征為所述的電能是由具有足能建立濺鍍等離子體所需輸出電壓的大功率交流電源提供。
3、如權利要求1或2的方法,其特征在于步驟(b)是連續地進行一預定的時間間隔,此時間間隔正常足能蒸發掉所述的積物,然后進行步驟(c)恢復從直流電源供到該陰極組件上的功率。
4、如權利要求3的方法,其特征為監測該等離子體指示出陰極組件的短路,并且在被監測的等離子體在步驟(c)期間仍表明該陰極組件有短路存在時就重復進行步驟(a)和(b)。
5、按照權利要求4的方法,其特征為,步驟(a)、(b)和(c)被重復一預定的次數,如果對該被監測的等離子體在重復所述步驟(a)、(b)和(c)一定次數后仍表明該陰極組件有短路存在,隨后就停止該濺鍍室運行。
6、如權利要求3、4或5所述的方法,其特征為,第一次中斷被導致在步驟(a)和(b)之間,以及第二次中斷被導致在步驟(b)和(c)之間。
7、如權利要求3、4、5或6所述的方法,其特征在于步驟(c)中包含有按照預定電壓波形使所述的直流電源斜升。
8、一臺清除導電材料構成的短路積物的裝置,由布置在一個濺鍍室中并與直流電源相接的濺鍍陰極組件進行,該直流電源足能建立和維持處在濺鍍室中的濺鍍等離子體,其特征為設有一個輔助電源(72),它能提供足以蒸發掉該短路積物和足以建立等離子體所需的電能;以及交替地對所述的陰極組件(52或54)連接直流電源和輔助電源(60和72)的裝置(68-86、90或110-114)。
9、如權利要求8的一個裝置,其特征為,所述的連接電源用的裝置包括:第一開關裝置(68、70),連接在直流電源(60)和陰極組件(52或54)之間;第二開關裝置(80-86),連接在輔助電源(72)和陰極組件之間;以及控制裝置(90或110-114),用以按一定的方式操作所述的第一和第二開關裝置,該方式為:當陰極組件變成短路時,中斷從直流電源(60)供到陰極組件(52;54)的功率,并將其連接到所述的輔助電源(72);然后當在陰極組件上的短路已經消失時,斷開輔助電源(72)與陰極組件的連接,并恢復陰極組件從直流電源(60)的供電。
10、如權利要求9的一個裝置,其特征為,所述的第一和第二開關裝置(68,70;80-86)是繼電器操作的開關,以及所述的控制裝置(90)包括有一個選擇開關(90),可以選擇地操作到有效地驅動相關的繼電器操作開關。
11、如權利要求9的一個裝置,其特征為,所述的控制裝置(110-114)包括:輸入和輸出裝置(110),用以監測電壓和電流狀態反應陰極組件上有無短路存在;以及一個程序控制器(114),用于響應所述的輸入和輸出裝置(110)的輸出而自動地以所述的方式驅動第一和第二開關裝置。
12、如權利要求8、9、10或11的一個裝置,其特征為,設有短路指示裝置(88),用以指示該陰極組件的短路持續超過一預定的時間間隔。
13、如權利要求8、9、10、11或12的一個裝置,其特征為,所述的輔助電源(72)包括一個大功率交流電源,它提供的輸出電壓足以能建立濺鍍等離子體。
14、如權利要求13的一個裝置,其特征在于,所述的大功率交流電源(72)包括有一個降壓變壓器(74),它具有一個適于接到陰極組件(52或54)上的次級繞組,以對其供給所需的電能。
15、如權利要求14的一個裝置,其特征為,所述的次級繞組串接限制電流的鎮流裝置(88),它在所述大功率交流電源(72)連接到該陰極組件經過預定的后生效,所述的延時大于正常情況下有效蒸發造成短路的積物所要求的時間間隔。
16、如權利要求8到15中任一項的一個裝置,其中所述的濺鍍室包含有多個所述的陰極組件,其特征為,所述的輔助電源(72)連接有選線開關裝置(102),用以使輔助電源(72)可選地接到濺鍍室(12)中的任一個陰極組件(52,54)上。
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