[其他]有架空旁路層的金屬—半導體場效應管及制造方法

無效

• 申請號: 86105841
• 申請日: 1986-07-21
• 公開（公告）號: CN86105841A
• 公開（公告）日: 1988-02-24
• 發明（設計）人: 吉亞姆比羅·多恩澤里
• 申請（專利權）人: 泰利特拉電話電子通訊聯合股票公司
• 主分類號: H01L29/64
• 分類號: H01L29/64;H01L29/76;H01L21/04
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 劉暉

1、一種肖特基勢壘金屬一半導體場效應晶體管MESFET包括：一個基片，一個接收輸入信號的柵極，一個產生放大輸出信號的漏極和一個源極，其特征是：柵極G由一個連續薄片構成，該薄片通過架空旁路跨越源極部位并用塊形連接焊到與上述部位處于同側的基片上，其另一端焊到源極的另一側，柵極薄片面積是使其長度為相應的全縱向長度，從而柵極電阻小到可以忽略的程度。

2、一種如權利要求1所述的晶體管，其特征是：具有I形的源極，即源極包括兩個橫向尺寸較大的端頭和一個位于上述兩端頭之間起連接作用的中間段，該中間段的橫向尺寸較小，縱向尺寸較大，柵極薄片的縱向尺寸比源極中間段的縱向尺寸稍小，比源極橫向尺寸大很多。

3、一種如權利要求1所述的晶體管，其特征是：漏電極的縱向尺寸比柵極薄片的縱向尺寸稍大，而漏極的橫向寬度與柵極薄片架空連接旁路的源極中間段的尺寸有相同的數量級。

4、一種如上述各項權利要求所述的晶體管，其特征是：漏極的主要工作面與柵極在基片上架空旁路一端的焊接線相對且平行，二者之間稍稍分開很小的距離。

5、一種如上述各項權利要求所述的晶體管，其特征是：柵極和漏極的塊形接觸都集中在各自主體上，其臺面的大小有相同的數量級，并位于縱向源極中間段的兩個相對的側面上。

6、一種如上述各項權利要求所述的晶體管，其特征是：外部具有塊形接觸的柵極和漏極的位置，相對于源極端頭之間連接的中間段，基本上是對稱的。

7、一種用來制造如上述各項權利要求所述的MESFET晶體管的工藝方法，其特征如下：

（1）在基片上制作有源區，源極和漏極的接觸制作在上述有源區上;

（2）用光掩模工藝制作柵極和各個塊形連接的接觸點;

（3）蒸發制作源極和漏極之間的金屬化層（鈦-鈀-金）的主要部位，電鍍生長使金屬層，例如金，增厚到所需厚度，如2至10微米;

（4）進行第二次光掩模工藝制作柵極到源極中間段中央的跨越連接或架空旁路;

（5）最后，將位于漏極上的整個金屬化層進行腐蝕，去掉金，留下D和S_G之間有效區中的焊接線G，同時去掉光刻膠，制成柵極連到源極的架空旁路連接。