[其他]壓電陶瓷元件之制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 86106297 | 申請日： | 1986-09-17 |
| 公開（公告）號： | CN86106297A | 公開（公告）日： | 1987-04-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 萊斯利·埃里克·克羅斯;沃爾特·阿瑟·舒爾策;榮學(xué)萬 | 申請（專利權(quán)）人： | 菲利浦(北美)有限公司 |
| 主分類號： | H01L41/22 | 分類號： | H01L41/22;H01L41/08;C04B35/46 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 李若娟,李雒英 |
| 地址： | 美國紐約*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 壓電 陶瓷 元件 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1、一種制造酞酸鉛壓電陶瓷元件的方法，包括用被錳和被一種稀土金屬取代的酞酸鉛材料，稀土金屬可選擇釤，釓和釹，其特征在于將由80-92%體積的分子式為(Pb1-1.5xLnx)(Ti1-yMny)O3之經(jīng)燒結(jié)的酞酸鉛粉料和8-20%體積之經(jīng)過燒結(jié)之后立即淬火處理之上述粉料所組成的粉狀混合物與一種暫時性粘合劑一起放在模具中成型，然后將其燒結(jié)，最后在40-60KV/cm的電場中成極處理，上述分子式中，Ln可選擇釤或選擇釓和釹之原子比為1∶1之混合物，0.06≤X≤0.14，0.02≤Y≤0.03。
2、如權(quán)利要求1中之方法，其特征是其中之Ln為Sm。
3、如權(quán)利要求2中之方法，其特征是0.07≤X≤0.12。
4、如權(quán)利要求3中之方法，其特征是X約為0.1。
5、如權(quán)利要求1-4中之任意一種方法，其特征是其中的粉料是用水淬火之粉料。
6、采用權(quán)利要求1-5中之任意一種方法所制成的一種壓電陶瓷元件。
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