[其他]半導(dǎo)體器件的高氧含量硅單晶基片及其制法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 86106346
• 申請日: 1986-10-31
• 公開（公告）號: CN86106346A
• 公開（公告）日: 1987-06-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鈴木利彥;加藤彌三郎;二神元信
• 申請（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號: C30B15/00
• 分類號: C30B15/00;C30B29/06
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 李若娟

1、一種含有相當(dāng)高氧含量，可供半導(dǎo)體器件用的硅基片的生產(chǎn)方法，包括從下的工序：

以相當(dāng)高的生長速度，從熔硅生長硅單晶，所選的生長速度可以在以后的生產(chǎn)該半導(dǎo)體器件的熱處理過程中，防止氧由硅單晶中離析，以及

由該硅單晶制成所述的硅基片。

2、按照上述權(quán)利要求1中的方法，其中該硅單晶的所述生長速度大于或等于1.2毫米/分。

3、按照上述權(quán)利要求1中的方法，其中該硅基片的所述氧含量大于或等于1.8×10¹⁸/厘米³。

4、按照上述權(quán)利要求2中的方法，其中該硅基片的所述氧含量大于或等于1.8×10¹⁸/厘米³。

5、按照上述權(quán)利要求2中的方法，其中該硅單晶的所述生長速度最好在大約1.5毫米/分至2.1毫米/分的范圍內(nèi)。

6、按照上述權(quán)利要求1中的方法，其中該硅單晶的生長工序包括下述幾個步驟：

將硅裝入坩堝;

加熱該硅，使該硅保持于流動態(tài);以及

從上述坩堝的熔硅中逐漸拉制出所述硅單晶。

7、按照上述權(quán)利要求6中的方法，其中所述的加熱該硅的步驟中，向它所供的熱量足以避免該硅表面固化。

8、按照上述權(quán)利要求6中的方法，其中所述的加熱該硅的步驟中，對上述硅表面供給的熱量比給該熔硅其余部分的熱量多。

9、按照上述權(quán)利要求6中的方法，它還包括向該硅施加磁場的措施。

10、按照上述權(quán)利要求6中的方法，它還進(jìn)一步包括使該坩堝轉(zhuǎn)動的措施。

11、按照上述權(quán)利要求10中的方法，其中該坩堝的轉(zhuǎn)速可以控制，以便調(diào)節(jié)該硅基片中的氧含量。

12、一種用來生長含有相當(dāng)高氧含量的用作半導(dǎo)體器件的硅基片原材料的硅單晶的設(shè)備，包括：

一個坩堝，用以裝硅，

一個加熱器，用以加熱該硅，使該硅保持呈流態(tài)，以及

一個引拉裝置，用來以相當(dāng)高的速度由該坩堝的熔硅中引拉該硅單晶，為的是防止在以后制備上述半導(dǎo)體器件工藝的熱處理期間，硅基片中的氧含量降低。

13、按照上述權(quán)利要求12中的設(shè)備，其中該硅單晶的所述拉速大于或等于1.2毫米/分。

14、按照上述權(quán)利要求13中的設(shè)備，其中該硅基片的所述氧含量大于或等于1.8×10¹⁸/厘米³。

15、按照上述權(quán)利要求13中的設(shè)備，其中該硅單晶的生長速度，最好是在大約1.5毫米/分至2.1毫米/分的范圍內(nèi)。

16、按照上述權(quán)利要求12中的設(shè)備，其中該加熱器供給足夠的熱量，以防止該熔硅表面固化。

17、按照上述權(quán)利要求16中的設(shè)備，其中該加熱器供給該熔硅表面的熱量，比給該硅其它部分的熱量多。

18、按照上述權(quán)利要求12中的設(shè)備，它還包括給該熔硅施加磁場的裝置。

19、按照上述權(quán)利要求12中的設(shè)備，它還包括使該坩堝轉(zhuǎn)動的驅(qū)動裝置。

20、按照上述權(quán)利要求19中的設(shè)備，其中該坩堝的驅(qū)動裝置可使該坩堝以可變速度轉(zhuǎn)動，以便可以調(diào)節(jié)該硅基片中的所述氧含量。

21、一個由硅基片制成的半導(dǎo)體器件，該硅基片的氧含量大于或等于1.8×10¹⁸/厘米³，其漏泄電流值小于1×10^-10安培。

22、一種生產(chǎn)含有高氧含量硅基片的方法，包括以下工序：

以顯著加速的生長速度，從熔硅中生長硅單晶的工序，取此速度以減少隨后熱處理期間形成的缺陷數(shù)，因此抑制了晶體中氧的離析，同時增加了晶體中的氧含量，藉此降低漏泄電流，上述加速的生長速度與所述增加的氧含量有關(guān)，以及

由該硅單晶制成該硅晶片的工序。

23、按照上述權(quán)利要求22中的方法，其中所述的加速生長速度至少為1.2毫米/分，而氧含量至少為1.8×10¹⁸/厘米³。