[其他]利用磁場的微波增強(qiáng)型化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)和方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 86106620
• 申請日: 1986-10-14
• 公開（公告）號: CN86106620A
• 公開（公告）日: 1987-07-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山崎舜平
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號: C23C16/50
• 分類號: C23C16/50
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 吳增勇,吳秉芬

1、微波增強(qiáng)型CVD(化學(xué)汽相淀積)系統(tǒng)，特征在于包括：

-一個(gè)CVD裝置，其由一個(gè)反應(yīng)室、用于將生產(chǎn)氣體引入所述反應(yīng)室的裝置、用于提供能量的裝置(這種能量是為在反應(yīng)室內(nèi)實(shí)現(xiàn)淀積反應(yīng)所必需的)及用于抽空所述反應(yīng)室的裝置所組成；和

-一個(gè)生產(chǎn)氣體增強(qiáng)裝置，它包括一個(gè)增強(qiáng)室、用于對所述增強(qiáng)室的內(nèi)部提供磁場的裝置，用于將微波發(fā)送到所述增強(qiáng)室內(nèi)的裝置和用于將生產(chǎn)氣體引入所述增強(qiáng)室的裝置，

所述反應(yīng)室和所述增強(qiáng)室處于彼此保持聯(lián)系中。

2、根據(jù)權(quán)利要求1的微波增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)，特征在于其中所述反應(yīng)室和所述增強(qiáng)室彼此直接相連，以使由諧振激活的生產(chǎn)氣體能大量地進(jìn)入所述反應(yīng)室的內(nèi)部。

3、根據(jù)權(quán)利要求1的微波增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)，特征在于其中所述增強(qiáng)室是從所述反應(yīng)室伸出。

4、根據(jù)權(quán)利要求3的微波增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)，特征在于其中所述增強(qiáng)室是一個(gè)大體上垂直于所述反應(yīng)室的伸出表面的圓筒。

5、根據(jù)權(quán)利要求4的微波增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)，特征在于還包括一個(gè)均質(zhì)器，該均質(zhì)器裝在所述增強(qiáng)室的諧振區(qū)和所述反應(yīng)室的反應(yīng)發(fā)生區(qū)之間。

6、根據(jù)權(quán)利要求5的微波增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)，特征在于其中所述生產(chǎn)氣體的引入裝置備有多個(gè)出口，從所述均質(zhì)器看去，這些出口被置于下部。

7、根據(jù)權(quán)利要求5的微波增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)，特征在于其中所述均質(zhì)器是一塊具有許多孔的平板。

8、根據(jù)權(quán)利要求1的微波增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)，特征在于其中所述CVD裝置是一個(gè)輝光放電的CVD系統(tǒng)。

9、根據(jù)權(quán)利要求1的微波增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)，特征在于其中所述CVD裝置是一個(gè)光學(xué)增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)。

10、根據(jù)權(quán)利要求1的微波增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)，特征在于其中所述要引到所述諧振腔內(nèi)的生產(chǎn)氣體包括惰性氣體。

11、根據(jù)權(quán)利要求10的微波增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)，特征在于其中所述惰性氣體是氬氣。

12、根據(jù)權(quán)利要求1的微波增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)，特征在于其中待淀積的基材是一種非晶半導(dǎo)體。

13、根據(jù)權(quán)利要求12的微波增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)，特征在于其中所述非晶半導(dǎo)體是非晶硅。

14、根據(jù)權(quán)利要求1的微波增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)，特征在于其中所述被引入到所述反應(yīng)室的生產(chǎn)氣體是一種氫化物。

15、根據(jù)權(quán)利要求1的微波增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)，特征在于其中所述生產(chǎn)氣體是一種氟水物。

16、使用權(quán)利要求1的微波增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)的淀積方法，特征在于其中對于要進(jìn)行沉積的基體在沉積前，進(jìn)行光學(xué)表面處理。