[其他]可逆的光學情報記錄介質無效
| 申請號: | 86107003 | 申請日: | 1986-09-22 |
| 公開(公告)號: | CN86107003A | 公開(公告)日: | 1987-08-19 |
| 發明(設計)人: | 山田升;木村邦夫;高尾正敏;佐內進 | 申請(專利權)人: | 松下電器產業株式會社 |
| 主分類號: | G11B7/24 | 分類號: | G11B7/24 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人: | 孫令華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 可逆 光學 情報 記錄 介質 | ||
本發明是關于用激光束對情報進行記錄、重放、抹除、重寫功能的相變化型可逆光學情報記錄介質。
眾所周知以Te(端)為基質的某種合金薄膜,在激光光束的照射下,比較容易產生可逆相變態。特別是對于Te成分含量多時,用能量比較低的激光源照射就可以產生非結晶化現象,根據這種現象就將其應用到記錄介質上。
例如S·R·Ovsinsky等,在美國專利U·S·P3,530,441中首先披露了對Te85Ge15,Te81Ge15S2Sb2等薄膜使用激光束等高密度能量光線照射,會產生可逆的相變態。另外,A·W Smith明確指出了以Te92Ge2As5為代表構成的薄膜能進行104次記錄(非結晶化)及抹除(結晶化)。(Applied Physic′s Letters 18(1971)P25A)。進一步,由M·Chen等公布的以Te87Ge8Sn5為代表的薄膜如果作靜態試驗,可以重復106次以上。(Applied Physic′s Letters 46(1985)P734)。
一般來說,在利用非結晶-結晶之間的相變化的記錄介質,重視記錄速度,從結晶向非結晶化的變化過程作為記錄,上述各種組成都是利用Te和添加物的共晶附近的組成,熔點都低于400℃,所以容易形成非結晶。另外,抹除是利用從非結晶向結晶化的變化過程。在上述各種組成中,其內部存在的許多自由Te鏈妨礙結晶化的進行。即在固化后其內部也殘存無規則的鏈。為使其定向一致,也就是為得到完全的結晶狀態,有必要充分保持長時間的高溫(Tg附近)。亦即,若存在著富Te的成分,則在原理上存在不能提高抹除速度的問題。
自由Te原子的存在,使得長期熱穩定性,特別是反復記錄/抹除后的熱穩定性降低,同時也成為限制反復次數的原因。總之,在存儲(as????depo)狀態的薄膜中可以認為Te原子是均一分散在膜內的。而在記錄/抹除反復期間,則分成為富Te的部分(較低融點的)及Te與添加物質之間的穩定化合物多的部分(較高融點的)。總之,分離產生記錄特性變化。這種情況下,Te極高的組成使結晶化溫度降低。非結晶極不穩定,結果使其熱穩定性降低。可以認為這種現象主要是由于共晶附近的組成不存在穩定的化合物,內能向穩定狀態遷移,而產生的結果。由于結晶化產生的Te和添加物之間的化合物的特性,主要是其融點與Te極為不同的情況下晶相分離(phase????Segrogation)更迅速地進行,分離后的晶相(phase)再返回均一狀態是困難的。其結果,無論記錄還是抹除都不能進行。作為解決這個問題的手段,提高激光功率,以使其長時間保持在兩者融點以上的溫度,在充分混合均勻后,再速冷(queuch)是必要的;Te的過剩使提高記錄靈敏度失去意義。而且實際上在動態系統上是不可能的。也就是只要Te過剩,就不能充分滿足讀寫速度、熱穩定性及反復特性的要求。
本發明的目的是提供一種不降低記錄靈敏度而使抹除速度提高的可逆光學情報記錄介質。另外,本發明還有一個目的是提供一種記錄/抹除反復壽命長的可逆光學情報記錄介質。本發明的進一步的目的是提供一種反復記錄操作后,熱穩定性無變化的,高可靠性的可逆光學情報記錄介質。
附圖說明
圖1為表示本發明的可逆光學情報記錄介質實施例構成的斷面圖。圖2為表示適用于本發明的可逆光學情報記錄介質記錄膜的主要組成及組成的允許量的組成圖。圖3為具有主要組成的記錄膜的相變溫度圖。圖4為表示具有相同主要組成的記錄膜非結晶靈敏度的圖表。圖5為表示具有相同主要組成的記錄膜結晶化速度的圖表。圖6表示在主要組成中添加Se時的非結晶化靈敏度及結晶化速度的變化圖表。
本發明的光學情報記錄介質是由如圖1a~c所示在PMMA、聚碳酸脂等樹脂、鋁、銅等金屬、玻璃等表面平滑的基片1上形成的SiO2,Al2O3,ZnS 2、3把記錄層4夾心而構成。盡管電介質對本發明來說并非必要,但對減少因激光反復照射而引起的樹脂材料的熱損傷或記錄層本身的變形、蒸發是有效的;而且使貼上保護板成為可能。
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