[其他]晶片的生產方法

無效

• 申請號: 86107119
• 申請日: 1986-10-21
• 公開（公告）號: CN86107119A
• 公開（公告）日: 1987-04-29
• 發明（設計）人: 齋藤留一
• 申請（專利權）人: 三菱金屬株式會社;日本硅株式會社
• 主分類號: C30B33/00
• 分類號: C30B33/00;B28D5/00
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 楊松堅

1、制造晶片的一種方法，其中包括：

(a)提供拉伸料棒；

(b)將所述料棒的一個端面加工成第一平坦面；

(c)用切片機將所述料棒從一端沿橫向切割成預定厚度的薄片，薄片正反兩面分別稱為所述第一平坦面和經過所述切割所形成的切割面；

(d)以所述第一平坦面作為基準面，將所述薄片的切割面加工成第二平坦面，從而制得晶片。

2、制造晶片的一種方法，其中包括：

（a）提供拉伸料棒;

（b）將所述料棒的一個端面加工成第一平坦面;

（c）將所述料棒導入一環形刀片，沿該環形刀片的內緣裝有一內緣刀刃，它可繞著所述環形刀片的軸在預定的轉速下轉動，隨后將所述料棒相對于所述環形刀片移動，從而使所述料棒的一個端面被所述內緣刀刃沿橫向切割成一預定厚度的薄片，因而提供一晶片，其正反兩面分別稱為所述第一平坦面和所述切割所形成的切割面;

（d）將所述薄片固持于一固持平面;而其所述第一平坦面對貼住所述固持平面;

（e）將所述薄片的切割面加工成第二平坦面，從而制得一晶片。

3、按照權利要求1或2的方法，其中晶片正反兩面（分別稱為所述第一平坦面和第二平坦面）再經過化學浸蝕以改善所述第一和第二平坦面的平整度。

4、按照權利要求3的方法，其中經過浸蝕之后，將晶片經過清洗和干燥。

5、按照權利要求1或2的方法，其中晶片經過消除應力退火以改善所述第一和第二平坦面的平整度。