[其他]半導體器件的制造方法和系統

無效

• 申請號: 86107683
• 申請日: 1986-11-12
• 公開（公告）號: CN86107683A
• 公開（公告）日: 1987-05-20
• 發明（設計）人: 山崎舜平
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;C30B25/00;H01L31/06
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 肖春京,杜有文

1、一臺制作半導體器件的系統包括：

第一CVD系統，具有在其內可進行CVD工藝的第一反應室；第二CVD系統，具有在其內可進行微波增強CVD工藝的第二反應室，所說的第一和第二反應室可以互相連通；

固定基片的基片夾持器；

和傳遞裝置，用來把夾持器從所說的第一反應室內部在密封條件下傳遞到所說的第二反應室之內。

2、根據權利要求1的一臺制作半導體器件的系統還包括第三CVD系統，具有在其內可進行CVD工藝的第三反應室，所說的第二和第三反應室可以在密封條件下互相連通。

3、根據權利要求2的一臺制作半導體器件的系統，其中所說的第一CVD系統適于進行P型半導體層的淀積;所說的第二CVD系統適于進行Ⅰ型半導體層的淀積;而所說的第三CVD系統適于進行N型半導體層的淀積。

4、根據權利要求1的一臺制作半導體器件的系統進一步包括一個可把第一和第二反應室分隔開的閘門閥。

5、根據權利要求1所述的一臺制作半導體器件的系統，其中所說的夾持器被做成可夾持基片的襯套形。

6、根據權利要求5所述的一臺制作半導體器件的系統，當所說的夾持器處于所說的反應室室內時，其中所說的襯套形的夾持器大致把所說的夾持器限制在進行CVD化學反應的反應區域之中。

7、根據權利要求1所述的一臺制作半導體器件的系統，其中所說的微波增強CVD系統是ECR系統和CVD系統的聯合系統。

8、根據權利要求7所述的一臺制作半導體器件的系統，其中所說的第一個CVD系統是輝光放電CVD系統。

9、根據權利要求7所述的一臺制作半導體器件的系統，其中所說的第一個CVD系統是光增強CVD系統。

10、根據權利要求3所述的一臺制作半導體器件的系統，其中所說的這樣形成的層是一個太陽電池。

11、一種制作半導體器件的方法包括：

一個把基片固定在基片夾持器上的步驟;

一個把所說的夾持器放置在第一反應室內的步驟;

一個在所說的第一反應室內進行第一CVD工藝的步驟;

一個不使所說的基片接觸大氣，將所說的夾持器從第一反應室傳遞到第二反應室的步驟;

和一個在所說的第二反應室內進行第二個用微波增強的化學反應的步驟。

12、根據權利要求11的方法還包括：

一個不使所說的基片接觸大氣，將所說的夾持器從第二反應室傳遞到第三反應室的步驟;

和一個在所說的第三反應室內進行第三個化學反應室的步驟。

13、根據權利要求12的方法，其中所說的第一、第二和第三化學反應分別根據淀積P型、I型和N型半導體的條件進行。

14、根據權利要求12的方法，其中所說的第一、第二和第三化學反應分別按淀積N型、I型和P型半導體的條件進行。

15、根據權利要求13的方法，其中所說的P型、I型和N型半導體集積構成一個太陽電池。

16、根據權利要求11的方法，其中所說的第二化學反應是得到硅化物氣體，鍺化合物氣體、錫化合物氣體或碳化物氣體的充分供應的。