[其他]應用側壁及去除技術制做亞微米掩模窗口的方法

無效

• 申請號: 86107855
• 申請日: 1986-11-14
• 公開（公告）號: CN86107855B
• 公開（公告）日: 1988-06-29
• 發明（設計）人: 羅伯特·基姆巴爾·庫克;約瑟夫·弗朗希斯·施帕德
• 申請（專利權）人: 國際商用機器公司
• 主分類號: H01L21/302
• 分類號: H01L21/302
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 鄧明

1、用選擇性刻蝕在基底中制做窗口的方法，它包括用反應離子刻蝕側壁技術在基底上形成臺面的步驟，其特征在于下列步驟：

將膜層淀積在所述基底的頂部和所述臺面的頂部，而不淀積在所述臺面的側壁上;

用有選擇性腐蝕所述臺面的側壁而不腐蝕所述膜層的方法，將所述臺面及其頂部的所述膜層完全除去，這樣，所述膜層便只保留在除所述臺面之外的位置的基底頂部上;

用膜層作為刻蝕掩模，有選擇地刻蝕所述基底，由此形成所述窗口。

2、權利要求1所述的方法，其中，所述的基底是用各向異性刻蝕工藝有選擇地被刻蝕的。

3、權利要求2所述的方法，其中，所述膜層是RIE掩模材料層，而所述基底是用反應離子刻蝕工藝被有選擇地刻蝕的。

4、權利要求3所述的方法，其中，所述膜層是蒸發上的MgO。

5、權利要求3所述的方法，其中，所述膜層是蒸發上的多晶硅。

6、權利要求1所述的方法，其中，所述臺面的頂部在淀積所述膜層之前從下挖去。

7、權利要求1所述的方法，其中，所述基底的層結構的最下層是，在外延硅材料上形成的摻雜的多晶硅材料。

8、權利要求7所述的方法，其中，所述最下層為P⁺型摻雜層，而所述的材料是N^-型摻雜材料。

9、權利要求1所述的方法，其中，所述膜層是用蒸發方法淀積而成的。

10、權利要求1所述的方法，其中，所述臺面的側壁是用各向同性的腐蝕劑有選擇地被腐蝕的。