[其他]光電動(dòng)勢(shì)元件及其制備工藝和設(shè)備

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 86108412
• 申請(qǐng)日: 1986-12-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN86108412A
• 公開(kāi)（公告）日: 1987-07-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廣岡政昭;石原俊一;半那純一;清水勇
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 佳能株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/06
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/06;H01L31/10;H01L31/18
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專(zhuān)利代理部
• 代理人: 李勇

1、一種改進(jìn)的光電動(dòng)勢(shì)元件，包括用于光電動(dòng)勢(shì)元件的具有導(dǎo)電表面的基底、置于該基底的該導(dǎo)電表面上的光電轉(zhuǎn)換層以及置于該光電轉(zhuǎn)換層上的導(dǎo)電層，該光電轉(zhuǎn)換層是用下述方法形成的，即使(i)能夠作為上述要沉積的層的一個(gè)組分，但只要其保持在它原有的能態(tài)，就不能或幾乎不能有助于形成上述層的一種氣態(tài)物質(zhì)，和(ii)一種具有用電子學(xué)方法使物質(zhì)(i)氧化的性質(zhì)的氣態(tài)物質(zhì)分別通過(guò)各自的氣體傳送空間進(jìn)入一個(gè)膜形成空間，在該膜形成空間中放置上述基底，同時(shí)保持在預(yù)定的溫度，使物質(zhì)(i)和(ii)在沒(méi)有等離子體的情況下在該基底表面上部的空間相互進(jìn)行化學(xué)接觸從而產(chǎn)生含有受激先質(zhì)(precursors)的多種先質(zhì)，并使這些先質(zhì)的至少一種形成上述膜。

2、根據(jù)權(quán)利要求1的一種改進(jìn)的光電動(dòng)勢(shì)元件，其中氣態(tài)物質(zhì)（ⅰ）包含提供p型雜質(zhì)或n型雜質(zhì)的原料材料。

3、根據(jù)權(quán)利要求1的一種改進(jìn)的光電動(dòng)勢(shì)元件，其中光電轉(zhuǎn)換層有許多層，這些層是由包含硅原子的非單晶材料和選自氫原子和氦原子中的至少一種原子構(gòu)成的。

4、根據(jù)權(quán)利要求3的一種改進(jìn)的光電動(dòng)勢(shì)元件，其中多層光電轉(zhuǎn)換層是由一層P型半導(dǎo)體層，一層i型半導(dǎo)體層和一層n型半導(dǎo)體層構(gòu)成的。

5、根據(jù)權(quán)利要求4的一種改進(jìn)的光電動(dòng)勢(shì)元件，其中置于光入射一側(cè)的p型半導(dǎo)體層或n型半導(dǎo)體層的層區(qū)域，包含從氧原子、碳原子和氮原子中選出的至少一種原子，并且具有寬的帶隙。

6、根據(jù)權(quán)利要求4的一種改進(jìn)的光電動(dòng)勢(shì)元件，其中i型半導(dǎo)體層是具有多重帶隙的層。

7、一種制備改進(jìn)的光電動(dòng)勢(shì)元件的方法，該元件包括用于光電動(dòng)勢(shì)元件的具有導(dǎo)電表面的基底、置于該基底的該導(dǎo)電表面上的光電轉(zhuǎn)換層以及置于該光電轉(zhuǎn)換層上的導(dǎo)電層，該方法包括：

使（ⅰ）能夠作為上述要沉積的層的一個(gè)組分，但只要其保持在它原有的能態(tài)，就不能或幾乎不能有助于形成上述層的一種氣態(tài)物質(zhì)和（ⅱ）一種具有用電子學(xué)方法使物質(zhì)（ⅰ）氧化的性質(zhì)的氣態(tài)物質(zhì)，分別通過(guò)各自的氣體傳送空間進(jìn)入一個(gè)膜形成空間，在該膜形成空間中放置上述基底，同時(shí)保持在預(yù)定的溫度;

使物質(zhì)（ⅰ）和（ⅱ）在沒(méi)有等離子體的情況下在該基底表面上部的空間相互進(jìn)行化學(xué)接觸，從而產(chǎn)生含有受激先質(zhì)（precur-sors）的多種先質(zhì)，并使這些先質(zhì)的至少一種在該基底的該導(dǎo)電表面上形成上述層。

8、根據(jù)權(quán)利要求7的一種制備改進(jìn)的光電動(dòng)勢(shì)元件的方法，其中氣態(tài)物質(zhì)（ⅰ）包含硅原子。

9、根據(jù)權(quán)利要求7的一種制備改進(jìn)的光電動(dòng)勢(shì)元件的方法，其中氣態(tài)物質(zhì)（ⅰ）包含硅原子以及或者一種用于提供P型雜質(zhì)的化學(xué)元素或者一種用于提供n型雜質(zhì)的化學(xué)元件。

10、根據(jù)權(quán)利要求7的一種制備改進(jìn)的光電動(dòng)勢(shì)元件的方法，其中氣態(tài)物質(zhì)（ⅱ）是選自以下一組中的一種或多種成分：鹵素氣體、新生態(tài)鹵素、含氧原子的氣體、含碳原子的氣體以及含氮原子的氣體。

11、根據(jù)權(quán)利要求7的一種制備改進(jìn)的光電動(dòng)勢(shì)元件的方法，其中物質(zhì)（ⅰ）和（ⅱ）的化學(xué)接觸以及光電轉(zhuǎn)換層的形成，是在出現(xiàn)發(fā)光（luminescence）現(xiàn)象的氣氛中完成的。

12、一種制備改進(jìn)的光電動(dòng)勢(shì)元件的裝置，包括：具有膜形成空間的反應(yīng)室、通過(guò)該反應(yīng)室的上壁伸進(jìn)膜形成空間的供氣裝置、配置在該反應(yīng)室底部的抽氣裝置以及安裝在該反應(yīng)室中的基底支撐裝置，上述供氣裝置具有（a）傳輸用于形成沉積膜的氣態(tài)物質(zhì)（ⅰ）的管道，以及（b）傳輸氣態(tài)電子氧化劑（ⅱ）的管道，該管道的放置使得物質(zhì)（ⅰ）和氧化劑（ⅱ）能夠進(jìn)入基底表面之上的空間，并且它們可以在沒(méi)有等離子體的情況下相互進(jìn)行化學(xué)接觸，從而產(chǎn)生含有受激光質(zhì)的多種先質(zhì)，并使這些光質(zhì)的至少一種在該基底上形成沉積膜。

13、根據(jù)權(quán)利要求12的一種制備改進(jìn)的光電動(dòng)勢(shì)元件的裝置，其中供氣裝置是一種同軸三重管道。

14、根據(jù)權(quán)利要求12的一種制備改進(jìn)的電動(dòng)勢(shì)元件的裝置，其中管道（a）和管道（b）的出口面對(duì)基底的表面放置。

15、根據(jù)權(quán)利要求12的一種制備改進(jìn)的光電動(dòng)勢(shì)元件的裝置，其中同軸三重管道具有其端部朝向基底表面開(kāi)口的三個(gè)出口，中間的出口裝在最深的凹進(jìn)部分，由其它兩個(gè)出口包圍，以形成一個(gè)或者圓形或者圓錐梯形的空間，作為反應(yīng)區(qū)。