[其他]電子攝影光敏元件及其制造方法和裝置無效
| 申請號: | 86108453 | 申請日: | 1986-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN86108453A | 公開(公告)日: | 1987-07-29 |
| 發明(設計)人: | 廣岡政昭;石原俊一;半那純一;清水勇 | 申請(專利權)人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | G03G5/02 | 分類號: | G03G5/02;G03G5/08 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人: | 李強 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子 攝影 光敏 元件 及其 制造 方法 裝置 | ||
1、一種改進的電子攝影光敏元件,包括用于電子攝影的基底和光接收層,所述光接收層的形成是通過:經由各自的氣體輸送空間把兩氣態物質引入膜層形成空間,所述兩種氣態物質中的一種氣態物質(1)能作為所述光接收層的成分,但只要它保持在它的初始能態,它就不能或幾乎不能對所述層的形成有所貢獻,另一種氣態物質(2)具有使物質(1)電子性氧化的特性,在所述膜層形成空間設置有所述基底,同時使其保持在預定溫度,使這兩種物質(1)和(2)在基底的表面之上的空間中在無等離子體的情況下彼此化學接觸,從而產生包含受激初級物的多種初級物,并使這些初級物中的至少一種被用來在基底的表面上形成所述光接收層。
2、根據權利要求1的改進電子攝影光敏元件,其中,氣體物質(1)包括用于控制導電率的物質。
3、根據權利要求1的改進電子攝影光敏元件,其中,光接收元件包含硅原子和選自氫原子和鹵素原子中的至少一種原子。
4、根據權利要求1的改進電子攝影光敏元件,其中,光接收層包含由硅原子和選自鍺原子和錫原子中的至少一種原子所構成的光導層。
5、根據權利要求1的改進電子攝影光敏元件,其中,光接收層包含由硅原子、選自鍺原子和錫原子中至少一種原子、選自氫原子和鹵素原子中的至少一種原子所構成的光傳導層。
6、根據權利要求4的改進電子攝影光敏元件,其中,光接收層包含用于控制導電率的物質。
7、根據權利要求5的改進電子攝影光敏元件,其中,光接收層包含用于控制導電率的物質。
8、根據權利要求1的改進電子攝影光敏元件,其中,光接收層具有多層結構,該結構至少有一層光傳導層作為構成層。
9、根據權利要求8的改進電子攝影光敏元件,其中,光接收層至少有一層電荷注入阻擋層作為至少一個組成層,該電荷注入阻擋層包含控制導電率的物質。
10、根據權利要求8的改進電子攝影光敏元件,其中,光接收元件至少有一層含有選自氧原子、碳原子和氮原子中的至少一種原子的層,作為組成層。
11、根據權利要求8的改進電子攝影光敏元件,其中,光接收元件至少有一層含有選自氧原子、碳原子和氮原子中的至少一種原子的表面層作為組成層。
12、根據權利要求9的改進電子攝影光敏元件,其中光接收元件至少有一層含有選自氧原子、碳原子和氮原子中的至少一種原子的表面作為構成層。
13、根據權利要求8的改進電子攝影光敏元件,其中,光接收元件有著一層含有選自鍺原子和錫原子中至少一種原子的層,和另一層既不含鍺原子又不含有錫原子的層,這兩層按此先后順序從基底一側設置。
14、根據權利要求9的改進電子攝影光敏元件,其中,光接收元件有著一層含有選自鍺原子和錫原子中至少一種原子的層,和另一層既不含有鍺原子又不含有錫原子的層,這兩層按此先后順序從基底一側設置。
15、根據權利要求10的改進電子攝影光敏元件,其中,光接收元件有著一層含有選自鍺原子和錫原子中至少一種原子的層,和另一層既不含有鍺原子又不含有錫原子的層,這兩層按此先后順序自基底一側設置。
16、根據權利要求11的改進電子攝影光敏元件,其中,光接收元件有著一層含有選自鍺原子和錫原子中至少一種原子的層,和另一層既不含有鍺原子又不含有錫原子的層,這兩層按此先后順序自基底一側設置。
17、根據權利要求12的改進電子攝影光敏元件,其中,光接收元件有著一層含有選自鍺原子和錫原子中至少一種原子的層,和另一層既不含有鍺原子又不含有錫原子的層,這兩層按此先后順序自基底一側設置。
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