[其他]光學(xué)傳感器

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 86108567
• 申請日: 1986-12-27
• 公開（公告）號: CN86108567A
• 公開（公告）日: 1987-10-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 梅丁·艾克蒂克
• 申請（專利權(quán)）人: 米特爾公司
• 主分類號: H01L31/10
• 分類號: H01L31/10;H01L31/18;H04B9/00
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 肖春京,杜有文

1、一種光敏二極管單元，包括構(gòu)成陰極的第一層n-型材料和構(gòu)成陽極的第二層P⁺型材料，該第二層位于第一層之上，是一種能透過光能的材料，該光敏二極管單元的特征在于，所述的第一層由氫化非晶硅制作而成，在經(jīng)受上述光能照射后，它變成良導(dǎo)電體。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所定義的光敏二極管單元，其特征在于，上述的第二層是由注入至上述第一層中的P⁺材料所構(gòu)成。

3、根據(jù)權(quán)利要求1所定義的光敏二極管單元，其特征在于，上述的第二層由透明金屬所構(gòu)成，從而在結(jié)點(diǎn)處形成肖特基勢壘，將所述的第一層和第二層分開。

4、根據(jù)權(quán)利要求1，2，或3所定義的光敏二極管單元，其特征進(jìn)一步在于，其中包括一個第一金屬化層，它在上述第一層下面形成陰極接點(diǎn);還包括一個第二金屬化層，它在上述第二層上面形成陽極接點(diǎn)，并具有一個或多個開孔，以便所述的第一層和第二層能接受光照。

5、根據(jù)權(quán)利要求2所定義的光敏二極管單元，其特征進(jìn)一步在于，在上述的第二層上面有一個高溫玻璃層。

6、根據(jù)權(quán)利要求1，2，或3所定義的光敏二極管單元，其特征進(jìn)一步在于，在上述的第一層和第二層下面，有一氧化物襯底層。

7、根據(jù)權(quán)利要求1，2，或3所定義的光敏二極管單元，其特征進(jìn)一步在于，在上述的第一層和第二層下面，有一高溫玻璃襯底層。

8、一種根據(jù)權(quán)利要求1所定義的多個光敏二極管單元組成的光敏二極管陣列，其特征在于，該陣列排列成矩陣形式，而矩陣是由第一組列導(dǎo)體和第二組位于上述列導(dǎo)體之上的行導(dǎo)體組成，上述二極管單元中的各個二極管位于相應(yīng)的所述行導(dǎo)體和列導(dǎo)體交叉點(diǎn)處，上述二極管單元中每個二極管陰極與相應(yīng)的列導(dǎo)體相連，而其陽極與相應(yīng)的行導(dǎo)體相連。

9、根據(jù)權(quán)利要求8所定義的光敏二極管陣列，其特征進(jìn)一步在于，它是一種借助于上述的行導(dǎo)體和列導(dǎo)體尋址二極管單元中各個二極管的裝置，同時也是探測上述被尋址單元中預(yù)定單元的光導(dǎo)并產(chǎn)生響應(yīng)該光導(dǎo)的圖象輸出信號的裝置。

10、根據(jù)權(quán)利要求9所定義的光敏二極管陣列，其特征在于，上述的尋址裝置是由將上述各個行導(dǎo)體接地的第一個多路開關(guān)和將上述各個列導(dǎo)體接至所述探測器裝置的另一個多路開關(guān)以及邏輯控制電路所組成，邏輯控制電路的作用是選擇接通上述多路開關(guān)預(yù)定的一路，使得上述二極管單元中的各個單元能依次與地和所述探測裝置串接，從而達(dá)到尋址目的。

11、根據(jù)權(quán)利要求10所定義的光敏二極管陣列，其特征在于，所述的探測器裝置由一個連接至上述的另一多路開關(guān)的反向差分放大器組成，該放大器用于放大當(dāng)所述二極管單元中某一單元被光照射后由于光導(dǎo)作用而產(chǎn)生的電流信號，并產(chǎn)生對應(yīng)的上述圖象輸出信號。

12、一種制作光敏二極管單元的方法，其特征在于包括以下步驟：

（a）沉積和腐蝕一層第一金屬化層，

（b）在上述的金屬化層上面沉積和腐蝕一層n-型氫化非晶硅，形成上述二極管單元的陰極部分，

（c）將P⁺材料注入上述n-型層的預(yù)定部分，形成上述二極管單元的陽極部分，

（d）再沉積和腐蝕另一金屬化層，用于連接上述P⁺注入部分，

（e）將上述的第一和另一金屬化層分別同外部陰極和陽極接點(diǎn)連接起來。

13、根據(jù)權(quán)利要求12所定義的方法，其特征進(jìn)一步在于還包括以下步驟，即在沉積上述第一金屬化層之前，先沉積和腐蝕一層n⁺多晶硅，從而在上述的第一層和n-型之間形成歐姆接觸。

14、根據(jù)權(quán)利要求12或13所定義的方法，其特征進(jìn)一步在于它還包括下述步驟：在上述n-型層上面沉積和腐蝕一層第二金屬化層，從而在它們之間形成一肖特基勢壘，另外，在預(yù)先沉積好的上述各層整個外面沉積一層高溫玻璃，經(jīng)過上述的高溫玻璃，形成連接上述第二金屬化層和另一金屬化層的接點(diǎn)。