[其他]薄膜晶體管

無效

• 申請號: 86108693
• 申請日: 1986-12-26
• 公開（公告）號: CN86108693A
• 公開（公告）日: 1987-08-12
• 發明（設計）人: 石原俊一;大利博和;廣岡政昭;半那純一;清水勇
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;H01L21/365
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 趙蓉民

1、一種改進的薄膜晶體管，其基本半導體層包含由非晶材料構成的層，它是用下述方法制備的：

(a)將含有能夠成為所述層組分原子的氣態物質(i)通過氣態物質輸送管引入放有薄膜晶體管基底的成膜室，通過氣態鹵族氧化劑輸送管將對該氣態物質具有氧化性能的氣態鹵族物質引入該成膜室，

(b)使該氣態物質和該氣態鹵族氧化劑在該成膜室內沒有等離子體的情況下發生化學反應，產生含有受激先質的多種先質。

(c)至少利用這些先質中的一種作為供應源，在該基底上形成所述的層。

2、根據權利要求1的一種改進的薄膜晶體管，其中的氣態物質（ⅰ）是鏈式硅烷化合物。

3、根據權利要求2的一種改進的薄膜晶體管，其中的鏈式硅烷化合物是直鏈式硅烷化合物。

4、根據權利要求3的一種改進的薄膜晶體管，其中的直鏈式硅烷化合物是用一般分子式SinH₂n+₂表示的一種化合物，這里n是1到8的整數。

5、根據權利要求2的一種改進的薄膜晶體管，其中的鏈式硅烷化合物是枝狀鏈式硅烷化合物。

6、根據權利要求1的一種改進的薄膜晶體管，其中的氣態物質（ⅰ）是環形硅烷化合物。

7、根據權利要求1的一種改進的薄膜晶體管，其中的氣態物質（ⅰ）是鏈式鍺烷化合物。

8、根據權利要求7的一種改進的薄膜晶體管，其中的鏈式鍺烷化合物是用一般分子式GemH₂m+₂表示的一種化合物，這里m是1到5的整數。

9、根據權利要求1的一種改進的薄膜晶體管，其中的氣態物質（ⅰ）是一種四面體類的化合物。

10、根據權利要求1的一種改進的薄膜晶體管，其中的氣態鹵族氧化劑（ⅱ）是由氟氣和氯氣組成的組中選出的鹵素氣體。

11、根據權利要求1的一種改進的薄膜晶體管，其中的氣態鹵族氧化劑（ⅱ）是含有氟原子作為成分的一種氣態物質。

12、根據權利要求1的一種改進的薄膜晶體管，其中的氣態鹵族氧化劑（ⅱ）是新生態鹵素。

13、根據權利要求1的一種改進的薄膜晶體管其中放置在成膜室內的基底表面朝向氣態物質（ⅰ）和氣態鹵族氧化劑（ⅱ）的輸送管的出氣口。