[其他]超低溫燒結PNN壓電陶瓷及其制造工藝

無效

• 申請號: 86108741
• 申請日: 1986-12-25
• 公開（公告）號: CN86108741B
• 公開（公告）日: 1988-04-06
• 發明（設計）人: 桂治輪;高素華;李龍土;張孝文
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: H01L41/18
• 分類號: H01L41/18;H01L41/22;C04B35/49
• 代理公司: 清華大學專利事務所
• 代理人: 王兵,段明星

1、一種鈮鎳-鋯鈦酸鉛為材料的超低溫燒結壓電陶瓷，其特征在于基料組成為Pb_1-xCd_x（Ni_1/3Nb_2/3）_yZr_zTi_wO₃+q₁wt%MnO₂+q₂wt%SiO₂+q₃wt%Pb₃O₄，其中

0.025≤x≤0.08，0.05≤y≤0.25，0≤≤0.60，

0.10≤w≤0.80，y++w=1，

0＜q₁≤1.0wt%,0＜q₂≤1.0wt%，0＜q₃≤4.0wt%。

2、一種制造權利要求1所述的超低溫燒結壓電陶瓷的工藝，其特征在于用普通化工原料二氧化鋯（ZrO₂）、二氧化鈦（TiO₂）、四氧化三鉛（Pb₃O₄）、二氧化錳（MnO₂）、醋酸鎳（Ni（C₂〉H₃OO）₂·4H₂O）、碳酸鎘（CdCO₃）、二氧化硅（SiO₂），按權利要求1所述化學式配料，混合磨細后過60～80目，經750℃～850℃予燒保溫1～2小時，粉碎后磨細，過200目篩得瓷料，把這種瓷料干壓成型為園片，在爐中敞開燒成，燒成溫度為840℃～1000℃，保溫時間為1-4小時。

3、按照權利要求2所說的制造超低溫燒結壓電陶瓷工藝，其特征在于燒成溫度為860℃～900℃。

4、按照權利要求2，3所說制造超低溫燒結壓電陶瓷工藝，其特征在于所說的普通化工原料為二氧化鋯（ZrO₂）、二氧化鈦（TiO₂）、四氧化三鉛（Pb₃O₄）、二氧化錳（MnO₂）、氧化鎳（NiO）、氧化鎘（CdO）、二氧化硅（SiO₂）。

5、一種制造權利要求1所述的超低溫燒結壓電陶瓷的工藝，其特征在于用普通化工原料二氧化鋯（ZrO₂）、二氧化鈦（TiO₂）、四氧化三鉛（Pb₃O₄）、二氧化錳（MnO₂）、醋酸鎳（Ni（C₂H₃OO）₂·4H₂O），碳酸鎘（CdCO₃）、二氧化硅（SiO₂），按權利要求1所述化學式配料，混合磨細后過60～80目，經750℃～850℃予燒保溫1～2小時，粉碎后磨細，過200目篩得瓷料，把這種瓷料干壓成園片，將園片放在坩堝中密閉蓋燒，燒成溫度范圍為840℃～1000℃，保溫時間為1～4小時。

6、按照權利要求5所說的制造工藝，其特征在于燒成溫度范圍為860℃～900℃。

7、按照權利要求5、6所說的制造工藝，其特征在于所說的普通化工原料為二氧化鋯（ZrO₂）、二氧化鈦（TiO₂）、四氧化三鉛（Pb_３O_４）、二氧化錳（MnO₂）、氧化鎳（NiO）、氧化鎘（CdO）、二氧化硅（SiO₂）。