[其他]功率半導體器件的電極引出技術

無效

• 申請號: 86109631
• 申請日: 1986-12-26
• 公開（公告）號: CN86109631A
• 公開（公告）日: 1988-07-20
• 發明（設計）人: 呂征宇
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/88
• 代理公司: 浙江大學專利代理事務所
• 代理人: 陳楨祥

1、一種功率半導體器件的電極引出工藝，本發明特征是，在功率半導體器件芯片上制作各電極的導電基底層，此芯片上再加絕緣介質膜作為隔離層，隔離層開有窗口，窗口位置與各單元主電極基底層一一對應，以保證主電極電流基本垂直地流過基底層，在隔離層上面有一連通導電薄膜作為連通層，使連通層與隔離層窗口內的主電極基底層連通，連通層上加絕緣介質膜作為電鍍屏蔽層，在屏蔽層選定部位開窗，即電鍍窗，在屏蔽層下電鍍窗位置有一金屬膜作為電鍍底層，以芯片上連通層作為電鍍陰極的連接導體，放在電鍍槽內電鍍金屬層，再除去屏蔽層和電鍍窗外的連通層、隔離層(如作為鈍化膜，則可保留)，最后在電鍍層上加導電、導熱性能良好的平整金屬壓塊以壓接方式封裝，從而構成完整的主電極并聯引出結構，芯片的其它電極可以采用各種常規方法引出。

2、根據權利要求1所述的工藝，屏蔽層的電鍍窗與各單元主電極一一對應。

3、根據權利要求1所述的工藝，屏蔽層所選定部位電鍍窗口可以包含一個或多個單元主電極。

4、根據權利要求1所述的工藝，當屏蔽層窗口包含所有單元主電極時，可以不加屏蔽層直接電鍍。

5、根據權利要求1所述的工藝，隔離層可以包括光刻膠膜。

6、根據權利要求1所述的工藝，電鍍前可以先去除電鍍窗內的連通層，以增加電鍍層牢固度。

7、根據權利要求1和2所述的工藝，在去除連通層時，如無隔離層也不會損壞下面的芯片表面結構，則隔離層也可以不用，此時電鍍后將電鍍窗口外的連通層去除。

8、根據權利要求1所述的工藝，電鍍后可以不去除屏蔽層和電鍍窗外的連通層。

9、根據權利要求1和2所述的工藝，屏蔽層窗口可以稍小于隔離層窗口，以避免因其它電極上隔離層受壓時可能被損壞而導致的主電極與其它電極短路。

10、根據權利要求1所述的工藝，當電鍍底層下面金屬允許電鍍，且與電鍍金屬無不良反應時，電鍍底層可以不要。

11、根據權利要求1所述的工藝，電鍍層可以為金屬銅、銀復合層，其中較薄的銀層覆蓋在銅層之上。

12、根據權利要求1所述的工藝，電鍍層總厚度以30～100μm為宜，當采用復合層時，表層金屬以5～10μm為宜。

13、根據權利要求1所述的工藝，其中電鍍層上也可以不加壓塊，而采用焊接方式引出主電極。