[其他]高能量γ射線刻度源裝置無效
| 申請號： | 86204889 | 申請日： | 1986-07-04 |
| 公開（公告）號： | CN86204889U | 公開（公告）日： | 1987-06-24 |
| 發明（設計）人： | 葉宗垣;李景文;躍鋼;施德棠 | 申請（專利權）人： | 中國原子能科學研究院 |
| 主分類號： | G01T3/00 | 分類號： | G01T3/00 |
| 代理公司： | 核工業部專利法律事務所 | 代理人： | 吳景夏 |
| 地址： | 北京二*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高能量 射線 刻度 裝置 | ||
【權利要求書】：
1、一種高能量γ射線刻度源裝置，由中子源、慢化層、輻射體組成，其特征在于利用放射性中子源，經慢化層慢化為熱中子與輻射體引起熱中子俘獲產生單色特征γ射線，用于刻度γ射線探測器。
2、根據權利要求1所述的高能量γ射線刻度源裝置，其特征在于裝有反射層和過濾器。
3、根據權利要求1或2所述的高能量γ射線刻度源裝置，其特征在于其中的放射性中子源是Am－Be中子源或Pu－Be中子源。
4、根據權利要求1或2所述的高能量γ射線刻度源裝置，其特征在于其中的中子慢化材料是石蠟或聚乙烯。
5、根據權利要求1或2所述的高度能γ射線刻度源裝置，其特征在于其中的輻射俘獲材料是鐵、鎳或二氯化鎂。
6、根據權利要求1或2所述的高能量γ射線刻度源裝置，其特征在于其中的反射層是石蠟或聚乙烯，過濾器是鉍板。
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