[其他]光電轉換器及其制造方法

無效

• 申請號: 87100057
• 申請日: 1987-01-06
• 公開（公告）號: CN87100057A
• 公開（公告）日: 1987-07-22
• 發明（設計）人: 山崎舜平
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L31/06
• 分類號: H01L31/06;H01L31/10;H01L31/18
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 肖春京

1、一種光電轉換器，其特征在于，該光電變換器包括：

一個透明襯底；

一個設在所述襯底上配置有電極的光敏半導體層；和

一個設在所述襯底上與所述半導體層毗鄰并與所述半導體層的周邊接觸的樹脂層，所述樹脂層與所述樹脂層周邊之間的接觸系采用所述半導體層作為掩模以腐蝕所述樹脂層，因而極為貼近，從而在所述接觸部分大體上不存在寄生通道。

2、一種圖象傳感器，其特征在于，該圖象傳感器包括：

一個襯底;和

配置在所述襯底上的光敏半導體陣列，所述陣列各元件由一半導體層和一對配置在所述半導體層相對表面上且完全遮蓋所述相對表面的電極所組成。

3、根據權利要求2的傳感器，其特征在于，所述第一和第二電極與所述半導體層彼此重疊。

4、根據權利要求2的傳感器，其特征在于，該傳感器還包括多個分別與所述第一電極接觸的信號引出線。

5、根據權利要求2的傳感器，其特征在于，該傳感器還包括一層配置在所述陣列元件各相鄰元件之間的樹脂層。

6、根據權利要求5的傳感器，其特征在于，所述樹脂層的上部表面不高于所述半導體層的上部表面。

7、根據權利要求5的傳感器，其特征在于，所述樹脂層與所述半導體層齊平。

8、一種制造由多個傳感器元件組成的圖象傳感器的方法，其特征在于，該方法包括：

制備襯底工序;

在所述襯底上加設電極的工序;

在所述第一電極上敷上光電半導體層的工序;

在所述半導體層上加設第二電極的工序;

用多個掩模在所述安置在分別與傳感器元件相對應位置上的第二電極上、一次腐蝕所述第一和第二電極以及所述半導體層的工序。

9、根據權利要求8的方法，其特征在于，該方法還包括制造多個引出所述元件輸出用的導線的工序。

10、根據權利要求8的方法，其特征在于，，該方法還包括在所述各元件之間配置樹脂層的工序。

11、根據權利要求10的方法，其特征在于，所述襯底是透明的。

12、根據權利要求11的方法，其特征在于，所述樹脂層系以所述各個元件作為掩模用光蝕刻法蝕刻陰性感光性樹脂形成的。

13、根據權利要求12的方法，其特征在于，蝕刻條件系這樣選擇，使剩余的樹脂層與所述半導體層齊平。

14、根據權利要求1的光電轉換器，其特征在于，所述電極結構包括設在所述半導體層一個表面上的第一電極和設在所述半導體層另一個表面上的第二電極。

15、根據權利要求14的光電轉換器，其特征在于，所述第一電極系制成透明電極，使入射光可射到所述光電半導體層上，所述第二電極則制成不透明的電極。

16、根據權利要求14的光電轉換器，其特征在于，所述第一和或第二電極系制成透明電極，使入射光可射到所述光電半導體層上。

17、根據權利要求14的光電轉換器，其特征在于，半導體層和第一和第二電極之間的接觸系電阻性接觸。

18、根據權利要求17的光電轉換器，其特征在于，所述半導體層含有n-i-n結、p-i-n結或m-i結。