[其他]一種多晶硅自對準雙極器件及其制造工藝

無效

• 申請號: 87100294
• 申請日: 1987-01-15
• 公開（公告）號: CN87100294A
• 公開（公告）日: 1987-08-26
• 發明（設計）人: 道格拉斯·P·弗萊特;杰弗里·E·布賴頓;迪姆斯·蘭迪·霍林斯沃思;曼紐爾·路易斯·托萊諾
• 申請（專利權）人: 德克薩斯儀器公司
• 主分類號: H01L29/02
• 分類號: H01L29/02;H01L29/72;H01L21/22
• 代理公司: 上海專利事務所
• 代理人: 吳淑芳

1、一種在半導體表面上生成的雙極晶體管，其特征在于，它包：

一個在上述半導體的發射極-基極區域部分里生成的第一種導電型的含雜質基極；

一個至少部分地復蓋上述含雜質基極而生成的導電的基極接觸層，它具有一在其側壁上面生成的不導電的隔離層蓋在發射極-基極區域上；

一個在鄰接上述含雜質基極的上述發射極-基極區域里的無雜質基極；

以及一個在上述無雜質基極里生成的第二種導電型的發射極，它具有一個鄰近上述含雜質基極并與上述隔離層的一個外緣對準的邊緣，以及封閉上述晶體管的隔離裝置。

2、按照權利要求1所述的晶體管，其特征在于，它包括一個在上述發射極和基極下面延伸的、第二種導電型的埋置的集電極。

3、按照權利要求2所述的晶體管，其特征在于，上述發射極是通過在鄰接上述隔離層的上述發射極區域上面淀積一摻入雜質的發射極接觸層，并加熱發射極區域以驅使雜質到上述發射極區域而生成的。

4、按照權利要求3所述的晶體管，其特征在于，上述基極是通過在相應的基極區上面淀積一摻以基極雜質的基極接觸層，并加熱上述基極接觸層以驅使其中的基極雜質進入上述基極區而生成的。

5、按照權利要求4所述的晶體管，其特征在于，它包括用以提供與上述埋置的集電極接觸的集電極接觸區域以及將發射極-基極區域與上述集電極接觸區域分開的局部的氧化物隔離。

6、按照權利要求2所述的晶體管，其特征在于，上述隔離裝置包括一個向下延伸穿過上述埋置的集電極的溝道。

7、按照權利要求6所述的晶體管，其特征在于，上述溝道封閉上述晶體管。

8、按照權利要求7所述的晶體管，其特征的于，上述溝道涂有一層薄氧化層，然后填有多晶硅。

9、按照權利要求7所述的晶體管，其特征的于，上述溝道具有大致上恒定的寬度。

10、按照權利要求7所述的晶體管，其特征在于，它包括一個在上述溝道下面的溝道截止區域。

11、按照權利要求5所述的晶體管，其特征在于，上述集電極接觸區域是通過深度注入第二種導電型的雜質并繼而擴散深度注入物而生成的。

12、按照權利要求11所述的晶體管，其特征在于，上述發射是N型的，上述基極是P型的，上述集電極是N型的。

13、按照權利要求4所述的晶體管，其特征在于，上述發射極和基極接觸層是多晶硅。

14、一種在具有一發射極-基極區域和一分隔開的集電極接觸區的半導體基片表面上制造雙極晶體管的方法，其特征在于，它包括：

在上述發射極-基極區域的部分上摻雜第一種導電型的導電層生成含雜質基極;

在上述含雜質基極層的側壁上生成一側壁隔離層;

從上述摻雜導電層的含雜質基極擴散含雜質基極的雜質進入上述半導體以生成一含雜質基極區;

注入并擴散無雜質基極雜質到上述發射極-基極區域的其余部分以在那里生成一個與上述含雜質基極鄰接的無雜質基極;

在鄰接上述隔離層的上述無雜質基極區的一部分上生成一摻有第二種導電型的發射極接觸層雜質的發射極;以及

加熱上述半導體以在其上述無雜質基極內生成一發射極。

15、按照權利要求14所述的方法，其特征在于，它包括注入并擴散第二種導電型的雜質到上述基片里以形成一集電極，并在上述集電極上面生長一層薄的外延層，其中，上述發射極和基極區域是在上述外延層里形成的。

16、按照權利要求15所述的方法，其特征在于，它包括將一種集電極雜質深深地注入上述外延層里的在上述集電極接觸面下方的集電極接觸區域并接著把集電極雜質擴散到整個上述集電極接觸區域。

17、按照權利要求16所述的方法，其特征在于，它包括生成一個延伸到上述基片并封閉上述晶體管的隔離溝道。

18、按照權利要求17所述的方法，其特征在于，上述含雜質基極接觸層是摻以上述第一種雜質的低壓化學汽相淀積的非晶硅。