[其他]三氯氫硅(SiHCl3)的制備無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 87100535 | 申請日： | 1987-01-24 |
| 公開（公告）號： | CN87100535A | 公開（公告）日： | 1987-11-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張崇玖 | 申請（專利權(quán)）人： | 張崇玖 |
| 主分類號： | C01B33/08 | 分類號： | C01B33/08 |
| 代理公司： | 江蘇省南通市專利服務(wù)部 | 代理人： | 左一平 |
| 地址： | 江蘇省南通市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 三氯氫硅 sihcl3 制備 | ||
【權(quán)利要求書】：
1、三氯氫硅(SiHCl3)的合成方法，采用HCl氣體通入到加熱的硅粉中來制備，本發(fā)明的特征是：在通入HCl到加熱硅粉的同時，增加通入SiCl4，由調(diào)節(jié)SiCl4的通入量來控制SiHCl3的收率。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于當(dāng)調(diào)節(jié)SiCl4的通入量≥SiCl4的餾出量時，SiHCl3的收率可達(dá)到100%。
3、根據(jù)權(quán)利要求1、2所述的方法，其特征在于調(diào)節(jié)SiCl4的通入量，可采用控制源溫（即控制飽和蒸汽壓）的方法來實(shí)現(xiàn)。
4、根據(jù)權(quán)利要求1、2所述的方法，其特征在于調(diào)節(jié)SiCl4的通入量，可采用控制SiCl4的滴液速度來實(shí)現(xiàn)。
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