[其他]深區(qū)PN結(jié)二極管

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 87100967
• 申請日: 1987-02-24
• 公開（公告）號: CN87100967A
• 公開（公告）日: 1987-11-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孫本棟;林志剛
• 申請（專利權(quán)）人: 山東煙臺無線電九廠
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/36;H01L29/72;H01L21/28
• 代理公司: 煙臺市專利事務(wù)所
• 代理人: 劉志毅

1、一種深區(qū)PN結(jié)二極管，其特征是在芯片的深N⁺層2、深P⁺層4中形成PN結(jié)。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的深區(qū)PN結(jié)二極管，其特征是深P層3的深度為3～4μ，深N⁺層2的深度為5～6μ。

3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的深區(qū)PN結(jié)二極管，其特征是接觸金屬鈦層6與深P層3相接觸，過渡金屬鉻層7在鈦金屬層6和銀電極8之間。

4、適用于權(quán)利要求1、2、3所述的深區(qū)PN結(jié)二極管的制造工藝，其特征在于用氧化置換反應(yīng)刻蝕電極8。

5、適用于權(quán)利要求1、2、3所述的深區(qū)PN結(jié)二極管的制造工藝，其特征在于刻蝕電極8后的芯片在700～800℃的高真空中熱處理40～140分鐘。