[其他]半導體器件的制造方法

無效

• 申請號: 87100973
• 申請日: 1987-02-24
• 公開（公告）號: CN87100973A
• 公開（公告）日: 1987-09-02
• 發明（設計）人: 辻井勝己
• 申請（專利權）人: 夏普公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/60
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 肖春京,肖掬昌

本發明涉及半導體器件的制造方法，尤其是關于在半導體晶片上進行引線鍵合時，為提高電極或鍵合片的識別性，而對電極或鍵合片表面進行處理的方法。

本發明是為提高（由自動引線接合裝置進行引線結合時的）半導體晶片電極的圖型識別性，在半導體基片上設置由鋁或鋁合金所構成的電極或鍵合的工序中，在上述的半導體基片上完成鋁或鋁合金的淀積后，及經熱處理工序之前，用氫氟酸或氟化銨的水溶液或兩者之混合液所作成的蝕刻液，將上述的由鋁或鋁合金所構成的電極或鍵合片的表面加工成粗糙面。

以前，半導體晶片的自動引線接合裝置，一般是用高倍數的電視攝影機將半導體晶片映出，并將此圖像雙值化，進行圖像處理，識別在半導體晶片上電極或鍵合片所進行引線鍵合的位置，然后對其此位置進行引線結合。近幾年來，這種自動引線結合的方法，不僅被適用于集成電路（IC）及大規模集成電路（LSI），而且也適用于如發光二極管（LED）一類的化合物半導體晶片，而且對提高半導體器件的生產率做出很大貢獻。

下面是對自動引線接合裝置的電極或鍵合片的識別原理所做的說明。該說明是以發光二極管晶片進行引線結合的實例所作的敘述。

如圖3（a）所示，發光二極管晶片（11）是將其電極部分（12）露出表面，并用Ag膠（paste）（13）小片結合在框板（14）上。引線結合裝置如圖3（b）所示，將照明燈（16）以斜方向安裝，對著安裝有發光二極管晶片（11）的框板（14）的工作臺（15），并將高倍率的電視攝影機（17）安裝于晶片（11）的正上方，或靠近正上方的位置，將整個晶片（11）作為圖像拍攝物體。當上述的安裝在框板（14）內的發光二極管晶片（11）被安放在如上述安裝方式所設定的位置時，由于發光二極管晶片（11）的電極部分（12）以外的表面均是平滑的，所以就會看到如圖3（b）所示，照明燈的光線（A）幾乎全部朝著與入射方向相反的方向（B）反射，而不會射入電視攝影機（17）的方向（C）。然而，由于電極部分（12）通常是用鋁或鋁合金所制成，故其表面是由多結晶所構成，因而會產生微細的凹凸部。因此在電極表面，入射光將引起亂反射，而且該亂反射光的一部分將射向電視攝影機（17）的方向（C）。用電視攝影機（17）所觀察的發光二極管晶片（11）的圖像，如圖3（C）所示，晶片（11）的表面較暗淡，只有電極部分（12）呈現出很明亮。如利用上述差異將圖像加雙值化的話，就只能明顯地識別出發光二極管晶片（11）上的電極部分（12），然后進一步進行圖像處理，求出電極的中心，以確定引線鍵合的位置。

然而，根據上述自動引線結合的方法，進行電極或鍵合片的識別，則電極或鍵合片（12）表面的亂反射率要高，而且亂反射率在晶片（11）間以及在晶片（11）內都要均勻，也就是說，電極或鍵合片（12）的表面都要進行粗糙處理作為其前提條件。但如用濺射法所形成的鋁或鋁合金構成的電極或鍵合片（12），則由于濺射的條件等原因，而即使進行熱處理，其晶粒的生成也很少，因此在上述電極或鍵合片（12）表面上基本不形成凹凸形狀。因而利用上述的自動引線接合裝置來識別電極或鍵合片（12），則有亂反射量不充足的情形。因此，使用濺射方法所形成的鋁或鋁合金構成的電極或鍵合片（12），將不會產生識別圖型，或在電極或鍵合片（12）的中心部分不能很好地進行引線結合，并且還會發生不少的搭接錯誤。因此，針對上述缺點，為了使由鋁或鋁合金所構成的電極或鍵合片（12）的表面呈粗糙的形狀，以增加亂反射量，而考慮采用化學藥品蝕刻其表面的方法。例如在使用鹽酸、硝酸、磷酸、苛性納等化學藥品時，則蝕刻率很大，而且很難控制，同時，無法得到在晶片內的均勻性，而如采用僅對電極或鍵合片（12）的表面進行小量均勻的蝕刻則極為困難。

本發明是鑒于上述的缺點而進行研究開發的成果，其目的在于提供一種具有圖形識別裝置的自動引線接合裝置來對在半導體晶片的電極部分實行引線結合時，能夠進行均勻的蝕刻，以提高電極或鍵合片的圖型識別性的半導體器件的制造方法。

本發明通過研究發現使用氫氟酸或氟化銨的水溶液等作為由鋁或鋁合金所形成的電極或鍵合片的表面粗糙化用的蝕刻液，并在對電極或鍵合片進行熱處理之前進行蝕刻，使電極或鍵合片表面不變色，而且呈現出均勻粗糙的表面。