[其他]一種熔接型單模光纖耦合器制造方法及其裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 87101028 | 申請日： | 1987-04-30 |
| 公開（公告）號： | CN87101028A | 公開（公告）日： | 1988-11-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 汪道剛 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海科學(xué)技術(shù)大學(xué) |
| 主分類號： | G02B6/26 | 分類號： | G02B6/26 |
| 代理公司： | 上海高校專利事務(wù)所 | 代理人： | 秦關(guān)華,王光增 |
| 地址： | 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 熔接 單模 光纖 耦合器 制造 方法 及其 裝置 | ||
【權(quán)利要求書】：
1、一種熔接型單模光纖耦合器制造方法及其裝置。它由光信號源(1)(9)、光信號注入(2)、熔融拉錐(4)、氫氧微火焰(7)(8)及檢測記錄(5)(6)所組成。其特征在于當(dāng)以部件(4)(7)(8)對被加工的單模光纖(3)實(shí)施熔融拉錐制造耦合器的同時(shí)，(3)的任一端面已被部件(2)注入了由部件(1)(9)提供的特定光脈沖信號，而(3)的另一方向上的每一尾端面與部件(5)(6)連接，且始終由(5)(6)對(3)的尾端面光信號變化進(jìn)行檢測記錄。
2、按權(quán)利要求1所述的方法及裝置，其特征在于被加工的單模光纖（3）其任一端面被部件（2）注入的特定光脈沖信號是波長范圍為0.5μ～1.6μ的波長可調(diào)高強(qiáng)度單色光脈沖。
3、按權(quán)利要求2所述的方法及裝置，其特征在于被加工的單模光纖（3）其任一端面被部件（2）注入的特定光脈沖信號其單色波長值應(yīng)與當(dāng)（3）被加工成耦合器后該耦合器的工作波長值相等。
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