[其他]制造陰極射線管的方法

無效

• 申請號: 87101270
• 申請日: 1987-12-23
• 公開（公告）號: CN87101270A
• 公開（公告）日: 1988-07-06
• 發明（設計）人: 伊藤武夫;松田秀三;吉迫守;八木修
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝;多摩化學工業株式會社
• 主分類號: H01J9/24
• 分類號: H01J9/24;H01J29/89;H01J29/88
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 杜月新

本發明涉及一種制造陰極射線管的方法，更具體地說，涉及到在陰極射線管屏盤外表面上形成一層有著防反射和抗靜電特性的薄膜的方法。

為了減小外光在陰極射線管屏盤外表面上的反射，通常使用各種防眩處理，從而減小了反射光的有害影響。這些防眩處理中的一種是把含Si的醇化物即Si（OR）₄的酒精溶液噴涂在屏盤的外表面上，從而在外表面上形成無數個細微的凸起物。

日本專利公開No.61-118932公開了一種實際的防眩處理方式，其中，把噴涂在屏盤外表面上的Si（OR）₄的酒精溶液在150℃或更低的溫度下燒結，從而使薄膜有著抗靜電性能。因為燒結溫度相對來說較低，薄膜粘附到屏盤上的粘附力會減小。為了防止粘附力的這種減小，在酒精溶液中加入了NHO₃。上述由Si（OR）₄的酒精溶液來形成薄膜的防眩處理是按下面的方式進行的。

（1）水解（產生硅醇族）

（2）硅醇族的縮合（產生硅氧烷鍵）

在上述反應中，硅醇族使薄膜有抗靜電特性，而硅氧烷粘合劑用來增強薄膜附于屏盤上的粘附力。當加熱薄膜時，加速了反應（2）。

只要適當地加熱薄膜，硅醇族就殘留在薄膜中，薄膜就有足夠高的抗靜電性能。然而，在這種情況下，因為薄膜中硅氧烷鍵的數量小，薄膜附于屏盤上的粘附力不夠大。另一方面，當薄膜過熱時，它又不能得到適當的抗靜電特性。雖然酸（比如HNO₃）能使反應（1）加速，從而減小了使被覆的薄膜達最高粘合強度所需的老化時間，但并不能使薄膜的粘合力得到足夠的增大。

本發明的一個目的是提供一種制造陰極射線管的方法，在此陰極射線管中，在屏盤上形成有著足夠抗靜電效果并且牢固地附于屏盤上的防反射薄膜。

根據本發明，提供了一種陰極射線管制造方法，該方法的步驟包括在陰極射線管屏盤上被覆含有聚烷基硅氧烷的溶液（聚烷基硅氧烷是把硅酸烷基酯在二聚物到六聚物的平均范圍內進行縮合而得到的）;縮合聚烷基硅氧烷，從而在屏盤上形成SiO₂薄膜。

聚烷基硅氧烷是由兩個或多個硅酸烷基酯單體縮合而成的，這些單體以下式表示：

式中R是烷基族（甲基、乙基、丙基和丁基）而n＝0、1、2、3……

由于以下的理由使用了在二聚物到六聚物的平均范圍內縮合硅酸烷基酯而得到的聚烷基硅氧烷。當硅酸烷基酯縮合到一定程度時，比如說二聚物到六聚物的范圍內時，薄膜的強度比含有非縮合硅酸烷基酯單體的聚烷基硅氧烷的強度要高，這從下面要描述的圖1和圖2中可明顯看出。當硅酸烷基酯縮合成六聚體或更高時，所得的產物變得易于膠凝，因而是不實用的。

低縮合物不能象在聚合物的情況下那樣僅包含相同類型的齊分子量聚合物。低縮合物通常包含有著不同分子量的硅酸烷基酯。即使混合了有著不同分子量的從二聚物到六聚物的硅酸烷基酯，仍然能夠達到本發明的效果。

為了加速水解，作為含有聚烷基硅氧烷溶液的主要成分，使用了加有酸或堿和水的酒精溶液，比如通常的醇化物溶液。

使用甲基、乙基、丙基或丁基族作為聚烷基硅氧烷中的烷基族。然而，為了易于水解，最好使用甲基或乙基族。

使用噴涂、分散（dispensing）或浸涂，來把聚烷基硅氧烷溶液被覆在陰極射線管的屏盤表面上。燒結情況隨燒結時間和溫度而變。在大約100℃的溫度下，燒結時間可以是10分到15分鐘;在大約200℃的溫度下為5到10分鐘;而在300℃到400℃的溫度下為5分鐘或更少。在某些情況下，如果允許有大約為一周的老化時間（即如果被覆的屏盤能暴露于空氣中大約一周），則燒結實際上是不需要的。