[其他]控制棒

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 87101877
• 申請日: 1987-03-14
• 公開（公告）號: CN87101877A
• 公開（公告）日: 1987-10-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 遠(yuǎn)藤善一郎;福本隆;齊藤莊藏;五十嵐孝雄;吉本佑一郎;菅原敏;新保勝利
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社日立制作所
• 主分類號: G21C7/10
• 分類號: G21C7/10
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利代理部
• 代理人: 李強

1、一種包括中子吸收區(qū)和支承裝置的控制棒，在中子吸收區(qū)中設(shè)置有用吸收核鏈型中子吸收劑制成，并從下方裝入反應(yīng)堆芯的中子吸收器，支承裝置用以支承所述中子吸收器，其特征在于：

所述中子吸收區(qū)沿軸向被分為上，下兩區(qū)；

所述上、下兩區(qū)的邊界位于沿軸向距所述中子吸收區(qū)下端為所述中子吸收區(qū)全長的3/8到5/8的范圍內(nèi)；

在所述下區(qū)中垂直于軸向的截面內(nèi)所含的所述吸收核鏈型中子吸收劑的量小于在所述上區(qū)中垂直于軸向的截面內(nèi)所含的所述吸收核鏈型中子吸收劑的量。

2、權(quán)利要求1的控制棒，其中所述吸收核鏈型中子吸收劑在所述上區(qū)和所述干區(qū)的大部分沿軸向基本均勻一致。

3、權(quán)利要求1的控制棒，其中所述中子吸收器為軸向延伸的一塊所述吸收核鏈型中子吸收劑制成的板。

4、由權(quán)利要求1所確定的控制棒，其中所述中子吸收器為所述吸收核鏈型中子吸收劑制成的棒，所述吸收核鏈型中子吸收劑棒安裝在所述中子吸收區(qū)中。

5、由權(quán)利要求1所確定的控制棒，其中所述吸收核鏈型中子吸收劑為Hf，Ta，Ag-In-Cd合金，Eu₂O₃或2O₃。

6、一種具有若干葉片，從下方插入反應(yīng)堆芯的控制棒，以及多個由一種吸收核鏈型中子吸收劑構(gòu)成的，并排列在所述葉片中的中子吸收棒，其特點表現(xiàn)為：

所述中子吸收棒在軸向上被分為上、下兩區(qū);

所述上、下兩區(qū)的邊界位于從所述中子吸收棒的下端起，所述中子吸收棒全長的3/8到5/8的范圍內(nèi);

所述中子吸收棒在所述下區(qū)比在所述上區(qū)細(xì)。

7、由權(quán)利要求6所確定的控制棒，其中所述中子吸收棒的所述上區(qū)與下區(qū)的橫截面都為園形，所述上區(qū)和下區(qū)同軸。

8、由權(quán)利要求6所確定的控制棒，其中所述中子吸收棒沿軸向的粗細(xì)在所述上區(qū)和下區(qū)的大部分基本上均勻一致。

9、由權(quán)利要求6所確定的控制棒，其中吸收核鏈型中子吸收劑為Hf，Ta，Ag-In-Cd合金，Eu₂O₃或2O₃。

10、一種控制棒，它包括：

一個中子吸收區(qū)，其中裝有多個由一種吸收核鏈型中子吸收劑構(gòu)成的中子吸收器，

多個裝有圍繞所述中子吸收區(qū)并從下方插入反應(yīng)堆芯的屏蔽套的葉片;

安裝在所述中子吸收器上的凹孔或貫通孔中和每個所述屏蔽套的相對側(cè)壁之間，并固定在所述側(cè)壁上的屏蔽套變形保護(hù)裝置;

所述控制棒特點在于：

所述中子吸收區(qū)沿軸向分為上、下兩區(qū)。

所述上，下兩區(qū)的邊界位于沿軸向從所述中子吸收區(qū)下端算起，中子吸收區(qū)全長的3/8到5/8范圍內(nèi);

在所述下區(qū)中，垂直于軸的截面內(nèi)的所述吸收核鏈型中子吸收劑的含量小于在所述上區(qū)中，垂直中軸的截面內(nèi)的所述吸收核鏈型中子吸收劑的含量。

11、由權(quán)利要求10所確定的控制棒，其中所述吸收核鏈型中子吸收劑是Hf，Ta，Ag-In-Cd合金，Eu₂O₂或2O₃。

12、一種具有若干葉片的控制棒，葉片從下方插入反應(yīng)堆芯，并裝有若干由吸收核鏈型中子吸收劑制成的中子吸收棒和圍繞所述中子吸收棒的屏蔽套;其特征在于：

各所述中子吸收棒都沿軸向被分為上，下兩區(qū)。

所述上，下兩區(qū)的邊界位于從所述中子吸收棒的下端起，所述中子吸收棒全長的3/8到5/8范圍內(nèi);

所述中子吸收棒的所述下區(qū)比所述的區(qū)細(xì);

它插在所述中子吸收棒的所述上區(qū)中的凹槽或貫通孔中和所述屏蔽套兩相對側(cè)壁之間并分別固定在所述側(cè)壁上的第一屏蔽套變形保護(hù)裝置;

第二屏蔽套變形保護(hù)裝置，它安裝在兩相鄰中子吸收棒的下區(qū)間隙處，位于所述屏蔽套的所述相對側(cè)壁之間并分別固定在所述屏蔽套的所述側(cè)壁上。

13、由權(quán)利要求12所確定的控制棒，其中所述中子吸收棒軸向上的粗細(xì)在所述上區(qū)和下區(qū)的大部分分別是基本上均勻一致的。