[其他]用于電子照相技術(shù)的光接收元件無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 87101883 | 申請日: | 1987-02-03 |
| 公開(公告)號: | CN87101883A | 公開(公告)日: | 1988-04-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 白井茂;齊藤惠志;新井孝志;加藤;藤岡靖 | 申請(專利權(quán))人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | G03G5/085 | 分類號: | G03G5/085 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利代理部 | 代理人: | 劉建國 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 電子 照相 技術(shù) 接收 元件 | ||
1、用于電子照相技術(shù)的光接收元件,它包括可用于電子照相術(shù)的基底和光接收層,其中光接收層由以下幾部分構(gòu)成:由含有作為主要組份原子的硅原子和某種用于控制電導(dǎo)率并阻止從基底一側(cè)注入電荷的元素的多晶材料形成的電荷注入阻擋層;由含有作為主要組份原子的硅原子的無定形材料形成的光導(dǎo)層;和由含有硅原子、碳原子和氫原子的無定形材料形成的表面層,表面層中氫原子的含量為41-70%。
2、由權(quán)利要求1限定的用于電子照相術(shù)中的光接收元件,其特征是電荷注入阻擋層中包含有某種用于控制其電導(dǎo)率且其大部分分布在靠近基底一側(cè)的層區(qū)中的元素。
3、由權(quán)利要求1或2限定的用于電子照相術(shù)中的光接收元件,其特征是電荷注入阻擋層中還包含有從氮原子、氧原子和碳原子中選出的至少一種原子。
4、由權(quán)利要求2或3限定的光接收元件,其特征是電荷注入阻擋層中還包含有從氮原子、氧原子和碳原子中選出的至少一種,且其大部分分布在靠近基底一側(cè)的層區(qū)中的原子。
5、由權(quán)利要求1到4中任何一個限定的用于電子照相術(shù)中的光接收元件,其特征是光導(dǎo)層中還包含有從氮原子、氧原子和某種用于控制其電導(dǎo)率的元素原子中至少一種原子。
6、由權(quán)利要求1、2和5中任何一個限定的光接收元件,其特征是用于控制其電導(dǎo)率的元素是周期表中Ⅲ族或Ⅴ族中的某一元素。
7、由權(quán)利要求1到6中任何一個限定的光接收元件,其特征是在基底與電荷注入阻擋層之間還配置有接觸層,接觸層是由含有作為主要組份原子的硅原子和從氮原子、氧原子和碳原子中選出的至少一種原子,如果需要的話還可含有氫原子和/或鹵素原子無定形材料形成的。
8、由權(quán)利要求1到6中任何一個限定的光接收元件,其特征是在基底與電荷注入阻擋層之間還配置有接觸層,接觸層是由含有作為主要組份原子的硅原子和從氮原子、氧原子和碳原子中選出的至少一種原子,如果需要的話還可含有氫原子和/或鹵素原子的多晶硅材料形成的。
9、用于電子照相技術(shù)的光接收元件,它包括有可用于電子照相術(shù)的基底和光接收層,其中的光接收層由以下幾部分組成:由含有硅原子和鍺原子的多晶材料或無定形材料形成的、長波長光的光吸收層(以下簡稱“IR層”);由含有作為主要組份原子的硅原子和某種用于控制其電導(dǎo)率并阻止從基底一側(cè)注入電荷的元素的多晶材料形成的電荷注入阻擋層;由含有作為主要組份原子的硅原子的無定形材料形成的光導(dǎo)層;和由含有硅原子、碳原子和氫原子的無定形材料形成的表面層,表面層中氫原子的含量為41~70atm%。
10、由權(quán)利要求9限定的用于電子照相術(shù)的光接收元件,其特征是電荷注入阻擋層中還含有某種用于控制電導(dǎo)率的、且其大部分分布在靠近基底一側(cè)的層區(qū)中的元素。
11、由權(quán)利要求9或10限定的用于電子照相術(shù)的光接收元件,其特征是電荷注入阻擋層中還包含有從氮原子、氧原子和碳原子中選出的至少一種原子。
12、由權(quán)利要求10或11限定的光接收元件,其特征是電荷注入阻擋層中還包含有從氮原子、氧原子和碳原子中選出的至少一種、且其大部分分布在靠近基底一側(cè)的層區(qū)中的原子。
13、由權(quán)利要求9到12中任何一個限定的用于電子照相術(shù)的光接收元件,其特征是光導(dǎo)層中還包含有從氮原子、氧原子和某種用于控制其電導(dǎo)率的元素原子中至少一種原子。
14、由權(quán)利要求9到13中任何一個限定的用于電子照相術(shù)的光接收元件,其特征是IR層中還包含有從某種用于控制其電導(dǎo)率的元素原子、氧原子、氮原子和碳原子中選出的至少一種原子。
15、由權(quán)利要求9、10、13和14中任何一個限定的光接收元件,其特征是控制電導(dǎo)率的元素是周期表中Ⅲ族或Ⅴ族中的某種元素。
16、由權(quán)利要求9到15中任何一個限定的光接收元件,其特征是光接收層還包括有接觸層,該層由含有作為主要組份原子的硅原子和從氮原子、氧原子和碳原子中選出的至少一種原子,如果需要時還可包含有氫原子和/或鹵素原子的無定形材料所形成。
17、由權(quán)利要求9到15中任何一個限定的光接收元件,其特征是光接收層還包括有接觸層,該層由含有作為主要組份原子的硅原子和從氮原子、氧原子和碳原子中選出的至少一種原子,如果需要的話還可包含有氫原子和/或鹵素原子的多晶材料所形成。
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