[其他]電子照相用的光接收元件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 87102172
• 申請日: 1987-01-23
• 公開（公告）號: CN87102172A
• 公開（公告）日: 1987-11-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 白井茂;齊藤惠志;新井孝;加藤富;藤岡靖
• 申請（專利權(quán)）人: 佳能株式會社
• 主分類號: G03G5/08
• 分類號: G03G5/08;G03G5/02;G03G5/10
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利代理部
• 代理人: 李強(qiáng)

1、一種用于電子照相技術(shù)中的光接收元件，其特征是：該元件包括一個復(fù)印用的基體，一個由電荷注入阻擋層、光導(dǎo)層和表面層所組成的光接收層，其中

--電荷注入阻擋層是由含硅原子作為主要成分的非晶態(tài)材料和另一種控制導(dǎo)電率的元素所組成，

--光導(dǎo)層是由硅原子作為主要成分的非晶態(tài)材料和至少一種選自氫和鹵素的原子一起組成，

--表面層是由含硅、碳、氫原子非晶態(tài)材料所組成，其中氫原子的原子含量在(41-70)%范圍之內(nèi)。

2、一種如權(quán)利要求1中所述的用于電子照相技術(shù)中的光接收元件，其特征是：光導(dǎo)層中至少含有一種選自氧和氮的原子。

3、一種如權(quán)利要求1或2所述的用于電子照相技術(shù)中光接收元件，其特征是：其電荷注入阻擋層中至少含有一種選自氮、氧、碳的原子。

4、一種如權(quán)利要求1至3中的一項(xiàng)所述的用于電子照相技術(shù)中的光接收元件，其特征是：電荷注入阻擋層中含有的控制電導(dǎo)率的元素在基體一側(cè)有較高的含量。

5、一種如權(quán)利要求3或4所述的用于電子照相技術(shù)中的光接收元件，其特征是：其電荷注入阻擋層中含有的至少一種選自氮、氧、碳的原子在靠近基體的層區(qū)中有較高的含量。

6、一種如權(quán)利要求3至5中之一項(xiàng)所述的用于電子照相技術(shù)中的光接收元件，其特征是：其電荷注入阻擋層中所含有的選自氮、氧、碳的原子只存在于鄰近基體的層區(qū)中。

7、一種如權(quán)利要求1至6中之一項(xiàng)所述的用于電子照相技術(shù)中的光接收元件，其特征是：其長波光吸收層是由含硅原子和鍺原子的非晶態(tài)材料沉積在基體和電荷注入阻擋層之間而成的。

8、一種如權(quán)利要求7所述的用于電子照相技術(shù)中的光接收元件，其特征是：其長波光吸收層中含有一種選自氮、氧、碳原子的元素以控制其電導(dǎo)率。

9、一種如權(quán)利要求1，4或8所述的用于電子照相技術(shù)中的光接收元件，其特征是：其中用于控制電導(dǎo)率的元素是周期表第Ⅲ族中的一種原子。

10、一種如權(quán)利要求1、4或8所述的用于電子照相技術(shù)中的光接收元件，其特征是：其中用于控制電導(dǎo)率的元素是周期表第Ⅴ族中的一種原子。

11、一種如權(quán)利要求1至10中之一項(xiàng)所述的用于電子照相技術(shù)中的光接收元件，其特征是：其接觸層是由含硅原子的非晶態(tài)材料和至少一種選自氮、氧、碳的原子沉積在基體和長波光吸收層之間、或基體和電荷注入阻擋層之間而成的。